在芯片制作過程中，涉及硅粉在磁場(chǎng)中的偏轉(zhuǎn)和吸收，情景可以簡(jiǎn)化為如下：如圖（1）所示：在14圓形區(qū)域OAB中有垂直于該平面的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，硅粉可視為質(zhì)量為m,帶電量為+q的帶電粒子，硅粉從靜止開始經(jīng)U的加速電壓加速以后從AB邊界的中點(diǎn)C垂直O(jiān)A邊界進(jìn)入磁場(chǎng)，經(jīng)過磁場(chǎng)作用以后恰好從OB邊界的中點(diǎn)D垂直O(jiān)B邊界離開磁場(chǎng)?忽略硅粉的重力和硅粉之間的相互作用力。
（1）求圓形區(qū)域OAB磁場(chǎng)的半徑R。
（2）如圖（2）所示：如果同時(shí)有N（N很大）個(gè)硅粉在C點(diǎn)上下0.4R的范圍內(nèi)均垂直AO方向入射，并且如圖建立xOy坐標(biāo)系，在OB邊界下方0.2R處有一個(gè)平行r軸的無限長(zhǎng)接受屏EF。硅粉碰到接受屏后完全吸收不反彈。
①求所有硅粉通過x軸時(shí)，有硅粉通過區(qū)間的x值范圍；
②如果這N個(gè)硅粉經(jīng)過的場(chǎng)偏轉(zhuǎn)后通過x軸時(shí)空間上沿x軸均勻分布，求足夠長(zhǎng)時(shí)間后接受屏EF受到的所有硅粉的總沖量。
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【答案】見試題解答內(nèi)容
【解答】
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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：64引用：1難度：0.3
相似題
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1．如圖1所示，在xOy坐標(biāo)系中，兩平行極板P、Q垂直于y軸且關(guān)于x軸對(duì)稱，極板長(zhǎng)度和板間距均為l,緊靠極板的右邊緣的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域由ΔAB0和矩形0BCD構(gòu)成，其中∠OAB=60°，OD=OA．磁場(chǎng)方向垂直于xOy平面向里，D、A位于y軸上。位于極板左側(cè)的粒子源沿x軸向右接連發(fā)射質(zhì)量為m,電荷量為+q、速度相同的帶電粒子，現(xiàn)在0～3t0時(shí)間內(nèi)兩板間加上如圖2所示的電壓，已知t=0時(shí)刻進(jìn)入兩板間的粒子，在t0時(shí)刻射入磁場(chǎng)時(shí)，恰好不會(huì)從磁場(chǎng)邊界射出磁場(chǎng)區(qū)域且圓心在x軸上，上述l、m、q、t0為已知量，U0=
，不考慮P、Q兩板電壓的變化對(duì)磁場(chǎng)的影響，也不考慮粒子的重力及粒子間的相互影響，求：ml2qt02
（1）t=0時(shí)刻進(jìn)入兩板間的帶電粒子射入磁場(chǎng)時(shí)的速度；
（2）勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小及磁場(chǎng)區(qū)域的面積；
（3）t=t0時(shí)刻進(jìn)入兩板間的帶電粒子在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間。
發(fā)布：2024/12/30 0:0:1組卷：79引用：2難度：0.7 -
2．如圖，半徑為d的圓形區(qū)域內(nèi)有磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁場(chǎng)垂直圓所在的平面。一帶電量為q、質(zhì)量為m的帶電粒子從圓周上a點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)圓心O射入磁場(chǎng)，從b點(diǎn)折射出來，若α=60°，則帶電粒子射入磁場(chǎng)的速度大小為（ ?。?/h2>發(fā)布：2025/1/6 0:30:5組卷：272引用：2難度：0.6 -
3．如圖所示，三角形ABC內(nèi)有垂直于三角形平面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，AB邊長(zhǎng)為L(zhǎng)，∠CAB=30°，∠B=90°，D是AB邊的中點(diǎn)?，F(xiàn)在DB段上向磁場(chǎng)內(nèi)射入速度大小相同、方向平行于BC的同種粒子（不考慮粒子間的相互作用和粒子重力），若從D點(diǎn)射入的粒子恰好能垂直AC邊射出磁場(chǎng)，則AC邊上有粒子射出的區(qū)域長(zhǎng)度為（ ?。?/h2>發(fā)布：2025/1/3 0:30:3組卷：300引用：1難度：0.5
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