硅是無(wú)機(jī)非金屬材料的主角，硅的氧化物和硅酸鹽約占地殼質(zhì)量的90%以上。
（1）計(jì)算機(jī)芯片和太陽(yáng)能電池的主要成分是

Si

Si

（填化學(xué)式，下同），光導(dǎo)纖維的主要成分是

SiO₂

SiO₂

。
（2）工藝師常用氫氟酸來(lái)雕刻玻璃，發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為

SiO₂+4HF=SiF₄↑+2H₂O

SiO₂+4HF=SiF₄↑+2H₂O

。
（3）用Na₂SiO₃水溶液浸泡過(guò)的棉花不易燃燒，說(shuō)明Na₂SiO₃可用作

防火劑和阻燃劑

防火劑和阻燃劑

。 Na₂SiO₃可通過(guò)SiO₂與純堿混合高溫熔融反應(yīng)制得，高溫熔融純堿時(shí)，下列坩堝可選用的是

D

D

。
A．普通玻璃坩堝
B．石英玻璃坩堝
C．瓷坩堝
D．鐵坩堝
（4）高純度單晶硅可以按下列方法制備SiO₂

Ⅰ

，

C

高溫

Si（ 粗）

Ⅱ

，

HC

l

300

℃

SiHCl₃

過(guò)量

H

2

1000

～

1100

℃

Si（純）
①寫(xiě)出步驟Ⅰ的化學(xué)方程式：

SiO₂+2C

高溫

Si+2CO↑

SiO₂+2C

高溫

Si+2CO↑

。
②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiHCl₃遇水劇烈反應(yīng)生成H₂SiO₃、HCl和另一種物質(zhì)，寫(xiě)出相應(yīng)的化學(xué)方程式：

SiHCl₃+3H₂O=H₂SiO₃+3HCl+H₂↑

SiHCl₃+3H₂O=H₂SiO₃+3HCl+H₂↑

。H₂還原SiHCl₃過(guò)程中若混入O₂，可能引起的后果是

氧氣可能氧化SiHCl₃，氫氣和氧氣混合點(diǎn)燃發(fā)生爆炸

氧氣可能氧化SiHCl₃，氫氣和氧氣混合點(diǎn)燃發(fā)生爆炸

。
③步驟Ⅱ的產(chǎn)物經(jīng)過(guò)冷凝后得到的SiHCl₃（沸點(diǎn)33.0℃）中含有少量的SiCl₄（沸點(diǎn)57.6℃），提純SiHCl₃的主要操作名稱是

蒸餾或分餾

蒸餾或分餾

。