含銅物質(zhì)在生產(chǎn)生活中有著廣泛應(yīng)用回答下列問題：
（1）基態(tài)Cu原子最高能層的電子排布式為

4s¹

4s¹

。
（2）CuCl₂稀溶液中存[Cu（H₂O）₆]²⁺。已知d軌道也可以參與雜化，則[Cu（H₂O）₆]²⁺中Cu的雜化方式為

C

C

（填選項(xiàng)字母）。
A.sp³
B.sp³d
C.sp³d²
D.dsp²
（3）銅鹽屬于重金屬鹽，銅鹽中毒可用青霉胺解毒，解毒原理如圖1：Cu²⁺能與青霉胺形成環(huán)狀絡(luò)合物，該環(huán)狀絡(luò)合物無毒、易溶于水，可經(jīng)尿液排出。

①比較硫化氫與氨氣鍵角的大小：H₂S

＜

＜

NH₃（填“＞”或“＜”）。
②第二周期元素中，第一電離能大于N的元素有

F、Ne

F、Ne

（用元素符號(hào)表示）。
③請(qǐng)解釋該化合物易溶于水的主要原因：

該化合物與水可形成分子間氫鍵

該化合物與水可形成分子間氫鍵

。
④該環(huán)狀絡(luò)合物中，VSEPR模型為四面體或正四面體的非金屬原子共有

14

14

個(gè)。
（4）Cu⁺與CN^-形成長鏈陰離子，其結(jié)構(gòu)片段如圖2所示，該陰離子中σ鍵與π鍵數(shù)目之比為

5：4

5：4

。

（5）一種由Cu、In、Te組成的高熵合金具有優(yōu)良的熱電性能，其四方晶胞如圖3所示：
①In的配位數(shù)為

4

4

；晶體中Te原子填充在Cu、In圍成的四面體空隙中，則四面體空隙的占有率為

50%

50%

。
②若晶胞底邊正方形的邊長均為anm,高為cnm,阿伏加德羅常數(shù)的值為N_A設(shè)晶體的最簡式的式量為Mr,則該晶體的密度為

4

M

r

1

0

-

21

N

A

a

2

c

4

M

r

1

0

-

21

N

A

a

2

c

g?cm^-3（列出計(jì)算式）。