某離子實(shí)驗(yàn)裝置的基本原理如圖所示，Ⅰ區(qū)寬度為d,右邊界為y軸，其內(nèi)充滿垂直于xOy平面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B。Ⅱ區(qū)左邊界為y軸，右邊界與x軸垂直交于C點(diǎn)，其內(nèi)y＞0區(qū)域內(nèi)充滿與x軸正方向夾角為θ=60°的勻強(qiáng)電場(chǎng)E（大小未知）；y＜0區(qū)域內(nèi)充滿垂直于xOy平面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為2B。Ⅲ區(qū)左邊界與Ⅱ區(qū)右邊界重合，其內(nèi)充滿勻強(qiáng)電場(chǎng)，場(chǎng)強(qiáng)與Ⅱ區(qū)場(chǎng)強(qiáng)的大小相等，方向相反。
氙離子（Xe²⁺ ）束從離子源小孔S射出，沿x軸正方向經(jīng)電壓為U的加速電場(chǎng)加速后穿過(guò)Ⅰ區(qū)，經(jīng)A點(diǎn)進(jìn)入Ⅱ區(qū)電場(chǎng)區(qū)，再經(jīng)x軸上的P點(diǎn)（未畫(huà)出）進(jìn)入磁場(chǎng)，又經(jīng)C點(diǎn)進(jìn)入Ⅲ區(qū)，后經(jīng)D點(diǎn)（未畫(huà)出）進(jìn)入Ⅱ區(qū)。已知單個(gè)離子的質(zhì)量為m、電荷量為2e,剛進(jìn)入Ⅱ區(qū)時(shí)速度方向與x軸正方向的夾角為θ=60°，在Ⅱ區(qū)域電場(chǎng)中的位移方向與y軸負(fù)方向夾角為θ=60°。忽略離子間的相互作用，不計(jì)重力。

（1）求氙離子進(jìn)入加速電場(chǎng)時(shí)的速度大小v_s；
（2）求Ⅱ區(qū)域電場(chǎng)強(qiáng)度E的大小；
（3）求Ⅱ區(qū)寬度L；
（4）保持上述條件不變，撤掉Ⅲ區(qū)中電場(chǎng)，并分為左右兩部分，分別填充磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B'；方向相反且平行y軸的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，氙離子仍能經(jīng)D點(diǎn)進(jìn)入Ⅱ區(qū)，求磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B'。