如圖一是元素周期表的一部分：
（1）寫出元素①的元素符號 AsAs，與①同周期的主族元素中，第一電離能比①大的有 11種。
（2）基態(tài)銻（Sb）原子的價電子排布式為 5s25p35s25p3。[H2F]+[SbF6]-（氟酸銻）是一種超強酸，則[H2F]+的空間結構為 V形V形。
（3）下列說法正確的是 cdcd（填字母）。
a.N2H4分子中含5個σ鍵和1個π鍵
b.基態(tài)P原子中，電子占據(jù)的最高能級符號為M
c.Sb位于p區(qū)
d.升溫實現(xiàn)液氨→氨氣→氮氣和氫氣變化的階段中，微粒間破壞的主要的作用力依次是氫鍵、極性共價鍵
（4）GaN、GaP都是很好的半導體材料，晶體類型與晶體硅類似，熔點如下表所示，解釋GaN、GaP熔點變化原因 兩者屬于原子晶體，原子半徑N＜P，鍵長Ga-N＜Ga-P，鍵能Ga-N＞Ga-P，故熔點：GaN＞GaP兩者屬于原子晶體，原子半徑N＜P，鍵長Ga-N＜Ga-P，鍵能Ga-N＞Ga-P，故熔點：GaN＞GaP。
| 物質 | GaN | GaP |
| 熔點/℃ | 1700 | 1480 |
①晶胞中Ga原子采用六方最密堆積方式，每個Ga原子周圍距離最近的Ga原子數(shù)目為
12
12
；②從GaN晶體中分割出的平行六面體如圖二2。若該平行六面體的體積為
2
84
2
N
A
a
3
84
2
N
A
a
3
【考點】位置結構性質的相互關系應用；晶胞的計算．
【答案】As；1；5s25p3；V形；cd；兩者屬于原子晶體，原子半徑N＜P，鍵長Ga-N＜Ga-P，鍵能Ga-N＞Ga-P，故熔點：GaN＞GaP；12；
84
2
N
A
a
3
【解答】
【點評】
聲明：本試題解析著作權屬菁優(yōu)網所有，未經書面同意，不得復制發(fā)布。
發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：48引用：2難度：0.5
相似題
-
1．X、Y、Z、M、N均為短周期主族元素，原子序數(shù)依次增大。X是宇宙中含量最高的元素，YX3分子呈三角錐形，Z的價電子排布式為nsnnpn+2，五種元素中M的電負性最小，N的最高價含氧酸酸性最強。下列說法正確的是（ ）
發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：47引用：1難度：0.5 -
2．已知A、B、C、D、E、F、G都是短周期的元素，它們的原子序數(shù)依次遞增．A原子的電子層數(shù)與它的核外電子總數(shù)相同，而B原子的最外層電子數(shù)是次外層的2倍，C的氫化物可使?jié)駶櫟募t色石蕊試紙變藍，B和D可以形成兩種氣態(tài)化合物，E原子核外電子總數(shù)比B的2倍少1，D與F同主族，G的原子半徑是本周期元素中最小的．則：
（1）A元素為C元素為E元素為
（2）由上述元素形成的10電子分子有、．
（3）由B和D以質量比為3：8組成的化合物與E的同周期相鄰主族元素的單質反應的化學方程式為．
（4）G單質與E的最高價氧化物的水化物反應的離子方程式為
（5）B、C、D形成的氣態(tài)氫化物中，較穩(wěn)定的是
（6）由A、C、G形成的離子化合物的化學式是．發(fā)布：2024/12/30 18:30:1組卷：7引用：3難度：0.5 -
3．A、B、C、D、E為原子序數(shù)依次增大的五種短周期元素；A是宇宙中最豐富的元素且與E同主族；B位于元素周期表ⅣA族；C在元素周期表中與B、D相鄰；D基態(tài)原子的s軌道與p軌道的電子總數(shù)相等且p軌道有2個未成對的電子；E是短周期中原子半徑最大的元素；F原子核外電子數(shù)為29．回答下列問題：
（1）F基態(tài)原子的核外電子排布式為。
（2）A、B、C、D、E五種元素中，電負性最小的元素為（填元素符號，下同），第一電離能最大的元素為；A3D+的立體構型為。
（3）A、B可形成多種化合物，其中相對分子質量為28的分子，其中心原子的雜化方式為，該分子中σ鍵和π鍵的數(shù)目之比為。
（4）化合物BD2和E2D2的晶體類型分別為、。
（5）F單質為面心立方晶體，若F的相對原子質量為M，阿伏加德羅常數(shù)為NA，晶胞邊長為a cm,則晶體F的密度ρ=g?cm-3。發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：27引用：2難度：0.3