光刻膠作為集成電路制作過程中的關(guān)鍵材料，它的技術(shù)水平直接決定了集成電路制作工藝的成敗。感光劑Ⅰ與化合物Ⅱ在堿性條件下反應(yīng)，生成化合物Ⅲ是某光刻膠工藝的一個環(huán)節(jié)。
化合物Ⅲ中的D為
回答下列問題：
（1）基態(tài)氮原子的價電子軌道表達(dá)式為 
。
（2）物質(zhì)Ⅱ中除H元素外，其它元素均位于元素周期表的 pp區(qū)。
（3）NH3、CH4、H2S中鍵長最長的是 H2SH2S，其分子空間結(jié)構(gòu)為 VV形。
（4）下列說法正確的是 ACAC（填選項字母）。
A.在Ⅰ中C原子全部采取sp2雜化
B.在Ⅱ中Cl元素的電負(fù)性最大
C.在Ⅱ的=N2基團(tuán)中，存在配位鍵
D.在Ⅲ中硫氧鍵的鍵能均相等
（5）光刻膠原理是利用反應(yīng)前后，不同物質(zhì)在刻蝕液中溶解性的差異，形成不同的圖形。化合物Ⅰ與化合物Ⅲ相比，水溶性較好的是 ⅠⅠ，原因是 化合物I含有多個羥基，可以與水分子間形成氫鍵化合物I含有多個羥基，可以與水分子間形成氫鍵。
（6）C3-60能與K′形成超分子加合物，如圖所示，該晶胞中K+的數(shù)目為 1212，已知晶胞參數(shù)為acm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則該晶胞的密度為 39×12+60×12×3NA×a339×12+60×12×3NA×a3 g/cm3（列出計算式即可）。
C
3
-
60
39
×
12
+
60
×
12
×
3
N
A
×
a
3
39
×
12
+
60
×
12
×
3
N
A
×
a
3
【答案】；p；H2S；V；AC；Ⅰ；化合物I含有多個羥基，可以與水分子間形成氫鍵；12；
；p；H2S；V；AC；Ⅰ；化合物I含有多個羥基，可以與水分子間形成氫鍵；12；39
×
12
+
60
×
12
×
3
N
A
×
a
3
【解答】
【點(diǎn)評】
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發(fā)布：2024/7/25 8:0:9組卷：1引用：1難度：0.6
相似題
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1．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關(guān)信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個電子．
試回答下列問題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為，F(xiàn)的價層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應(yīng)式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍(lán)色沉淀溶解，得到深藍(lán)色溶液，再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇，析出深藍(lán)色晶體．藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結(jié)構(gòu)（面心立方）如圖2所示：已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
2．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計算表達(dá)式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
3．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成），則平均每一個C60晶胞中有個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4