金屬和非金屬分界線附近的元素(如Ga、Ge、As),可用于制造半導(dǎo)體材料,是科學(xué)研究的熱點(diǎn)。試回答下列問題。
(1)鍺(Ge)是一種重要的半導(dǎo)體材料,寫出基態(tài)Ge原子的價層電子排布式:4s24p24s24p2。
(2)利用離子液體[EMIM][AlCl4]可電沉積還原金屬Ge。EMIM+結(jié)構(gòu)如圖所示。
①EMIM+中各元素的電負(fù)性從小到大的順序是:N>C>HN>C>H(用元素符號表示)。
②[AlCl4]-的空間結(jié)構(gòu)為 正四面體形正四面體形。
(3)鎵(Ga)位于元素周期表中第4周期第ⅢA族,其鹵化物的熔點(diǎn)如下表:
[
A
l
C
l
4
]
-
GaF3 | GaCl3 | GaBr3 | |
熔點(diǎn)/℃ | >1000 | 77.75 | 122.3 |
GaF3屬于離子晶體,GaCl3屬于分子晶體
GaF3屬于離子晶體,GaCl3屬于分子晶體
。(4)GaAs是一種人工合成的新型半導(dǎo)體材料,其晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似,如圖所示,若該立方晶胞參數(shù)為anm。
①該晶體中與As原子距離最近且相等的Ga原子個數(shù)為
4
4
。②已知阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,GaAs的式量為Mr,則GaAs晶體的密度為
4
M
r
N
A
a
3
4
M
r
N
A
a
3
【答案】4s24p2;N>C>H;正四面體形;GaF3屬于離子晶體,GaCl3屬于分子晶體;4;×1021
4
M
r
N
A
a
3
【解答】
【點(diǎn)評】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/5/25 8:0:9組卷:38引用:1難度:0.5
相似題
-
1.鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
(1)基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為
(2)(NH4)2Fe(SO4)2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
③SO42-中S原子的雜化方式為
(3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
(4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7 -
2.碳及其化合物有著重要用途?;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為
(2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
(3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型,比較三者鍵角的大小
(4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
(5)C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖,C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知:C60晶胞棱長為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成),則平均每一個C60晶胞中有發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4 -
3.N、P、As都是ⅤA族元素,且原子序數(shù)依次增大,它們的單質(zhì)和化合物在生產(chǎn)、生活中有廣泛應(yīng)用。請回答下列相關(guān)問題。
(1)基態(tài)磷原子的價電子排布式為
(2)已知白磷的分子式為P4,其結(jié)構(gòu)如圖1所示??茖W(xué)家目前合成了N4分子,其分子結(jié)構(gòu)與白磷類似。則N原子的雜化軌道類型是
(3)硝酸的沸點(diǎn)較低,從氫鍵的角度推斷其可能的原因是
(4)NO2-與鈷形成的配離子[Co(NO2)6]3-可用于檢驗(yàn)K+的存在。NO2-離子的VSEPR模型名稱為
(5)鋁和白磷在一定條件下可以制備磷化鋁(AlP),磷化鋁晶胞的結(jié)構(gòu)如圖2所示。磷化鋁中,Al原子的配位數(shù)為發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:55引用:1難度:0.5
把好題分享給你的好友吧~~