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更新：2025年01月10日
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夯實(shí)基礎(chǔ)
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更新：2025年01月10日
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2611．如圖所示，間距為L且足夠長的金屬導(dǎo)軌固定在水平面上，導(dǎo)軌電阻與長度成正比，豎直向下的勻強(qiáng)磁場范圍足夠大，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B。導(dǎo)軌左端用導(dǎo)線連接阻值為R的定值電阻，阻值為R的導(dǎo)體棒垂直于導(dǎo)軌放置，與導(dǎo)軌接觸良好。導(dǎo)體棒從導(dǎo)軌的最左端以速度v勻速向右運(yùn)動(dòng)的過程中（ ?。?/h2>發(fā)布：2024/12/15 5:0:1組卷：188引用：1難度：0.52612．核泄漏中的钚（Pu）是一種具有放射性的元素，它可破壞細(xì)胞基因，增加患癌的風(fēng)險(xiǎn)。已知钚的一種同位素
Pu的半衰期為24100年，其衰變方程為23994Pu→X+23994He+γ，則下列說法中正確的是（ ?。?/h2>42發(fā)布：2024/12/15 5:0:1組卷：55引用：2難度：0.72613．一定質(zhì)量的氣體，從狀態(tài)A變化到狀態(tài)B的過程中，內(nèi)能增加了160J，下列是關(guān)于內(nèi)能變化的可能原因的說法，其中不可能的是（ ?。?/h2>
發(fā)布：2024/12/15 5:0:1組卷：39引用：3難度：0.8
2614．一個(gè)物體做單向直線運(yùn)動(dòng)，從A點(diǎn)經(jīng)B點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到C點(diǎn)，如圖所示，已知BC=2AB，從A點(diǎn)到B點(diǎn)的過程中的平均速度為3.0m/s,從B點(diǎn)到C點(diǎn)的過程中的平均速度為6.0m/s,則從A點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到C點(diǎn)的平均速度為（ ）發(fā)布：2024/12/15 4:0:1組卷：84引用：3難度：0.82615．某同學(xué)要測定一組干電池的電動(dòng)勢和內(nèi)電阻，提供的器材有：待測的干電池、兩個(gè)電流傳感器、滑動(dòng)變阻器R（0-20Ω，2A）、定值電阻R0（2000Ω）以及開關(guān)和導(dǎo)線若干。他根據(jù)這些器材設(shè)計(jì)了圖甲所示的電路，并利用測出的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)繪出I1-I2圖線（I1為電流傳感器1的示數(shù)，I2為電流傳感器2的示數(shù)，且I2的數(shù)值遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于I1的數(shù)值），如圖乙所示。則由圖線計(jì)算被測電池的電動(dòng)勢E=V，內(nèi)阻r=Ω。
發(fā)布：2024/12/15 4:0:1組卷：119引用：2難度：0.42616．與如圖相關(guān)的說法正確的是分（ ?。?br />
發(fā)布：2024/12/15 4:0:1組卷：71引用：2難度：0.8
2617．如圖，虛線所示的圓形區(qū)域內(nèi)存在一垂直于紙面的勻強(qiáng)磁場，P為磁場邊界上的一點(diǎn).大量相同的帶電粒子以相同的速率經(jīng)過P點(diǎn)，在紙面內(nèi)沿不同方向射入磁場.若粒子射入速率為v1，這些粒子在磁場邊界的出射點(diǎn)分布在四分之一圓周上；若粒子射入速率為v2，相應(yīng)的出射點(diǎn)分布在三分之一圓周上.不計(jì)重力及帶電粒子之間的相互作用.則v2：v1為（ ）發(fā)布：2024/12/15 4:0:1組卷：488引用：2難度：0.5
2618．如圖所示，小球在豎直放置的內(nèi)壁光滑的圓形細(xì)管內(nèi)做圓周運(yùn)動(dòng)，則（ ）發(fā)布：2024/12/15 4:0:1組卷：256引用：4難度：0.7
2619．如圖所示，左端有微小夾縫的“∠”形光滑導(dǎo)軌abc水平放置在豎直向上的勻強(qiáng)磁場中，一電容器C與導(dǎo)軌左端相連，導(dǎo)軌上的金屬棒MN與ab垂直，在外力F作用下從b點(diǎn)開始以速度v向右勻速運(yùn)動(dòng)，忽略所有電阻．下列關(guān)于回路中的電流i、極板上的電荷量q、外力F及其功率P隨時(shí)間t變化的圖像中，正確的是（ ）發(fā)布：2024/12/15 4:0:1組卷：428引用：3難度：0.5
2620．如圖所示為一交變電流隨時(shí)間變化的圖像，此交流電的有效值是（ ?。?/h2>發(fā)布：2024/12/15 4:0:1組卷：77引用：3難度：0.7
