試卷征集
加入會(huì)員
操作視頻

菁優(yōu)網(wǎng)砷化鎵(GaAs)是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料,可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等?;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)Ga原子的核外電子排布式為
[Ar]3d104s24p1
[Ar]3d104s24p1

(2)根據(jù)元素周期律,元素的電負(fù)性Ga
小于
小于
(填“大于”或“小于”,下同)As,第一電離能B
大于
大于
 Ga;BF3和NH3的分子能夠通過配位鍵相結(jié)合的原因是
NH3的N具有孤對(duì)電子,BF3中的B核外具有空軌道
NH3的N具有孤對(duì)電子,BF3中的B核外具有空軌道
。
(3)殺蟲劑Na3AsO4中陰離子的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體
,As原子采取
sp3
sp3
雜化。
(4)組成相似的GaF3和GaCl3晶體,前者屬于離子晶體,后者屬于分子晶體。從F-和Cl-結(jié)構(gòu)的不同分析其原因是
Cl-的電子層數(shù)比F-的多,原子半徑比F-的大,Cl-的變形性大于F-,被極化程度增大,使從GaF3向GaCl3變化時(shí),鍵型從離子鍵向共價(jià)鍵變化
Cl-的電子層數(shù)比F-的多,原子半徑比F-的大,Cl-的變形性大于F-,被極化程度增大,使從GaF3向GaCl3變化時(shí),鍵型從離子鍵向共價(jià)鍵變化
。
(5)原子晶體GaAs的晶胞參數(shù)a=xpm,它的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶胞內(nèi)部存在的共價(jià)鍵數(shù)為
16
16
;A原子距離B原子所在六面體的側(cè)面的最短距離為
0.25x
0.25x
 (用x表示)pm;該晶胞的密度為
5
.
8
×
1
0
12
x
3
?
N
A
5
.
8
×
1
0
12
x
3
?
N
A
g?cm-3.(阿伏加德羅常數(shù)用NA表示)。

【考點(diǎn)】晶胞的計(jì)算
【答案】[Ar]3d104s24p1;小于;大于;NH3的N具有孤對(duì)電子,BF3中的B核外具有空軌道;正四面體;sp3;Cl-的電子層數(shù)比F-的多,原子半徑比F-的大,Cl-的變形性大于F-,被極化程度增大,使從GaF3向GaCl3變化時(shí),鍵型從離子鍵向共價(jià)鍵變化;16;0.25x;
5
.
8
×
1
0
12
x
3
?
N
A
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/4/20 14:35:0組卷:24引用:7難度:0.4
相似題
  • 菁優(yōu)網(wǎng)1.鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
    (1)基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為
     
    ;其最外層電子的電子云形狀為
     
    。
    (2)(NH42Fe(SO42?6H2O俗稱摩爾鹽
    ①NH4+電子式為
     
    。
    ②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
     
    (用元素符號(hào)表示)
    ③SO42-中S原子的雜化方式為
     
    ,VSEPR模型名稱為
     
    。
    (3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
     
    ;晶體的配位體為
     
    (用化學(xué)符號(hào)表示)
    (4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長(zhǎng)為a nm、FeS2相對(duì)式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為
     
    g?cm-3

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7
  • 菁優(yōu)網(wǎng)2.碳及其化合物有著重要用途。回答下列問題:
    (1)基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為
     
    。
    (2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
     
    、
     
    ,所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為
     
    。
    (3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型,比較三者鍵角的大小
     
    (由大到小,用H一R-H表示),其原因是
     
    。
    (4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
     
    。
    (5)C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖,C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知:C60晶胞棱長(zhǎng)為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
     
    g/cm3。
    C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成),則平均每一個(gè)C60晶胞中有
     
    個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后,這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫(Cs)填滿所有空隙,距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為
     
     ?。

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4
  • 3.N、P、As都是ⅤA族元素,且原子序數(shù)依次增大,它們的單質(zhì)和化合物在生產(chǎn)、生活中有廣泛應(yīng)用。請(qǐng)回答下列相關(guān)問題。
    (1)基態(tài)磷原子的價(jià)電子排布式為
     
    。
    (2)已知白磷的分子式為P4,其結(jié)構(gòu)如圖1所示。科學(xué)家目前合成了N4分子,其分子結(jié)構(gòu)與白磷類似。則N原子的雜化軌道類型是
     
    ,N-N-N鍵的鍵角為
     
    。
    菁優(yōu)網(wǎng)
    (3)硝酸的沸點(diǎn)較低,從氫鍵的角度推斷其可能的原因是
     
    ;請(qǐng)寫出兩種與NO3-互為等電子體的微?;瘜W(xué)式
     
    (請(qǐng)寫一個(gè)分子和一個(gè)離子)。
    (4)NO2-與鈷形成的配離子[Co(NO26]3-可用于檢驗(yàn)K+的存在。NO2-離子的VSEPR模型名稱為
     
    ,K3[Co(NO26]是黃色沉淀,該物質(zhì)中四種元素的電負(fù)性由大到小的順序是
     
    。
    (5)鋁和白磷在一定條件下可以制備磷化鋁(AlP),磷化鋁晶胞的結(jié)構(gòu)如圖2所示。磷化鋁中,Al原子的配位數(shù)為
     
    ,若最近兩個(gè)Al原子之間的距離為acm,用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值,則該晶體的密度為
     
    g?cm-3(用含有以上字母的計(jì)算式表示)。

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:55引用:1難度:0.5
小程序二維碼
把好題分享給你的好友吧~~
APP開發(fā)者:深圳市菁優(yōu)智慧教育股份有限公司| 應(yīng)用名稱:菁優(yōu)網(wǎng) | 應(yīng)用版本:5.0.7 |隱私協(xié)議|第三方SDK|用戶服務(wù)條款
本網(wǎng)部分資源來源于會(huì)員上傳,除本網(wǎng)組織的資源外,版權(quán)歸原作者所有,如有侵犯版權(quán),請(qǐng)立刻和本網(wǎng)聯(lián)系并提供證據(jù),本網(wǎng)將在三個(gè)工作日內(nèi)改正