氮化硅是一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料，具有優(yōu)良性能．
（1）基態(tài)氮原子的電子排布式為

1s²2s²2p³

1s²2s²2p³

，基態(tài)硅原子未成對(duì)電子數(shù)是

3

3

，碳、氮、硅的電負(fù)性由大到小的順序是

N＞C＞Si

N＞C＞Si

．
（2）碳熱還原法制氮化硅是在氮?dú)庵杏锰歼€SiO₂，寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式：

6C+2N₂+3SiO₂

△

Si₃N₄+6CO

6C+2N₂+3SiO₂

△

Si₃N₄+6CO

．氮化硅一般不與酸反應(yīng)，但能與氫氟酸反應(yīng)，寫出氮化硅與過 量氫氟酸反應(yīng)的化學(xué)方程式：

Si₃N₄+16HF=3SiF₄+4NH₄F

Si₃N₄+16HF=3SiF₄+4NH₄F

．
（3）三氯化硅烷（SiHCl₃）也可用于制備氮化硅，三氯硅烷分子的空間構(gòu)型為

四面體形

四面體形

，其分子中硅原子的雜化軌道類型為

sp³雜化

sp³雜化

．
（4）氮化硅與碳化硅、氮化硼等作用可產(chǎn)生結(jié)合材料，改善性能．氮化硅、碳化硅的化學(xué)性質(zhì)都很穩(wěn)定，其原因是

晶體中原子之間形成共價(jià)鍵，鍵能大，鍵牢固

晶體中原子之間形成共價(jià)鍵，鍵能大，鍵牢固

．
（5）碳化硅立方晶系晶胞如圖所示，C-Si-C鍵的夾角是

109°28′

109°28′

，其晶體類型是

原子晶體

原子晶體

，若立方晶系的碳化硅密度為ρg?cm^-3，N_A表示阿伏加德羅常數(shù)的值，則晶胞的棱長(zhǎng)為

3

160

ρ

N

A

3

160

ρ

N

A

．