（CdSe）n小團(tuán)簇（CdnSen,n=1～16）為Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體材料，具有獨(dú)特的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)，常應(yīng)用于發(fā)光二極管、生物系統(tǒng)成像與診斷等方面。
回答下列問題：
（1）基態(tài)Se原子的價(jià)層電子排布式為4s24p44s24p4。
（2）Cd的第一電離能大于同周期相鄰元素，原因是Cd的價(jià)電子排布式為4d105s2，原子軌道為全充滿狀態(tài)Cd的價(jià)電子排布式為4d105s2，原子軌道為全充滿狀態(tài)。
（3）CdS、CdSe、CdTe均為重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體材料，熔點(diǎn)分別為1750℃、1350℃、1041℃，上述熔點(diǎn)呈規(guī)律性變化的原因是CdS、CdSe、CdTe均為離子化合物，陽離子相同，陰離子半徑：S2-＜Se2-＜Te2-，晶格能：CdS＞CdSe＞CdTeCdS、CdSe、CdTe均為離子化合物，陽離子相同，陰離子半徑：S2-＜Se2-＜Te2-，晶格能：CdS＞CdSe＞CdTe。
（4）利用有機(jī)配體PH3、N（CH3）3等修飾（CdSe）2可改善其光致發(fā)光效率。其中PH3的空間構(gòu)型是三角錐形三角錐形。N（CH3）3中參與形成配位鍵的孤電子對占據(jù)的軌道是sp3sp3。
（5）CdSe 的一種晶體為閃鋅礦型結(jié)構(gòu)，晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。其中原子坐標(biāo)參數(shù) A 為（14，14，14），則B、C的原子坐標(biāo)參數(shù)分別為（34，34，14）、（14，34，34）（34，34，14）、（14，34，34）。該晶胞中CdSe鍵的鍵長為34anm34anm。已知Cd和Se的原子半徑分別為rCdnm和rSenm,則該晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為4π3×4×（rCd3+rSe3）a3×100%4π3×4×（rCd3+rSe3）a3×100%。
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【答案】4s24p4；Cd的價(jià)電子排布式為4d105s2，原子軌道為全充滿狀態(tài)；CdS、CdSe、CdTe均為離子化合物，陽離子相同，陰離子半徑：S2-＜Se2-＜Te2-，晶格能：CdS＞CdSe＞CdTe；三角錐形；sp3；（，，）、（，，）；nm；×100%
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【解答】
【點(diǎn)評】
聲明：本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書面同意，不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：34引用：3難度：0.6
相似題
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1．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成），則平均每一個(gè)C60晶胞中有個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4 -
2．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
3．N、P、As都是ⅤA族元素，且原子序數(shù)依次增大，它們的單質(zhì)和化合物在生產(chǎn)、生活中有廣泛應(yīng)用。請回答下列相關(guān)問題。
（1）基態(tài)磷原子的價(jià)電子排布式為。
（2）已知白磷的分子式為P4，其結(jié)構(gòu)如圖1所示。科學(xué)家目前合成了N4分子，其分子結(jié)構(gòu)與白磷類似。則N原子的雜化軌道類型是，N-N-N鍵的鍵角為。
（3）硝酸的沸點(diǎn)較低，從氫鍵的角度推斷其可能的原因是；請寫出兩種與NO3-互為等電子體的微粒化學(xué)式（請寫一個(gè)分子和一個(gè)離子）。
（4）NO2-與鈷形成的配離子[Co（NO2）6]3-可用于檢驗(yàn)K+的存在。NO2-離子的VSEPR模型名稱為，K3[Co（NO2）6]是黃色沉淀，該物質(zhì)中四種元素的電負(fù)性由大到小的順序是。
（5）鋁和白磷在一定條件下可以制備磷化鋁（AlP），磷化鋁晶胞的結(jié)構(gòu)如圖2所示。磷化鋁中，Al原子的配位數(shù)為，若最近兩個(gè)Al原子之間的距離為acm,用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，則該晶體的密度為g?cm-3（用含有以上字母的計(jì)算式表示）。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：55引用：1難度：0.5
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