GaN是制造5G芯片的材料,氮化鎵鋁和氮化鋁LED可發(fā)出紫外光。回答下列問題:
(1)基態(tài)N原子核外電子排布式為1s22s22p31s22s22p3;下列狀態(tài)的鋁元素中,電離最外層的一個電子所需能量最小的是DD。(填標號)
A.![](http://img.jyeoo.net/quiz/images/202009/117/815dfe18.png)
B.![](http://img.jyeoo.net/quiz/images/202009/117/912190f2.png)
C.[Ne]
D.[Ne]![](http://img.jyeoo.net/quiz/images/202009/45/dc823434.png)
(2)8-羥基喹啉合鋁(分子式C27H18AlN3O3)用于發(fā)光材料及電子傳輸材料,可由LiAlH4與8-羥基噎啉)合成。LiAlH4中陰離子的中心原子Al的雜化方式為sp3sp3;8-羥基喹啉合鋁中所含元素電負性最大的是OO(填元素符號,下同),第一電離能最大的是NN。(填元素符號)
(3)已知下列化合物的熔點:
化合物 | AlF3 | GaF3 | AlCl3 |
熔點/℃ | 1040 | 1000 | 194 |
AlF3、GaF3為離子晶體,AlCl3為分子晶體
AlF3、GaF3為離子晶體,AlCl3為分子晶體
。(4)鎂單質晶體中原子的堆積模型為六方最密堆積(如圖),緊鄰的四個鎂原子的中心連線構成的正四面體幾何體的體積是2acm3,鎂單質的密度為ρg?cm-3,已知阿伏加德羅常數(shù)為NA,則鎂的摩爾質量的計算式是
12ρaNA
12ρaNA
。![](http://img.jyeoo.net/quiz/images/202009/45/2725c739.png)
【答案】1s22s22p3;D;sp3;O;N;AlF3、GaF3為離子晶體,AlCl3為分子晶體;12ρaNA
【解答】
【點評】
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發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:6引用:1難度:0.5
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1.碳及其化合物有著重要用途?;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為
(2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
(3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構型,比較三者鍵角的大小
(4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
(5)C60晶胞結構如圖,C60分子處于頂點和面心。已知:C60晶胞棱長為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點構成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點構成),則平均每一個C60晶胞中有發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4 -
2.A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素,且原子序數(shù)依次增大,其相關信息如下:
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù);
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子;
③E元素原子最外層電子排布式為(n+1)Sn(n+1)Pn-1;
④F原子有四個能層,K、L、M全充滿,最外層只有一個電子.
試回答下列問題:
(1)基態(tài)E原子中,電子占據(jù)的最高能層符號為
(2)B、C、D的電負性由大到小的順序為
(3)B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性:BA4小于A2D,原因是
(4)以E、F的單質為電極,組成如圖1所示的裝置,E極的電極反應式為
(5)向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水,首先出現(xiàn)藍色沉淀,繼續(xù)滴加氨水,藍色沉淀溶解,得到深藍色溶液,再向深藍色透明溶液中加入乙醇,析出深藍色晶體.藍色沉淀溶解的離子方程式為
(6)F的晶胞結構(面心立方)如圖2所示:已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為發(fā)布:2025/1/18 8:0:1組卷:14引用:2難度:0.5 -
3.鐵及其化合物在生產生活及科學研究方面應用非常廣泛。
(1)基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為
(2)(NH4)2Fe(SO4)2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為
③SO42-中S原子的雜化方式為
(3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
(4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計算表達式為發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7