高純度的氫氟酸是制造芯片的重要原料之一。
（1）已知：HF（aq）?H+（aq）+F-（aq）ΔH=-10.4kJ/mol；H+（aq）+OH-（aq）═H2O（l）ΔH=-57.3kJ/mol則：HF（aq）+NaOH（aq）═NaF（aq）+H2O（l）的ΔH=-67.7kJ/mol-67.7kJ/mol。
（2）HF無論是氣態(tài)還是在水溶液中均可二聚形成（HF）2。HF能二聚的原因是 HF分子間可形成氫鍵HF分子間可形成氫鍵，寫出（HF）2發(fā)生第二步電離的電離方程式 HF-2?H++2F-HF-2?H++2F-。
（3）如圖為恒溫、帶有可自由移動隔板的剛性容器。當(dāng)兩邊分別充入4g氦氣和20g單分子態(tài)的HF氣體時，隔板位于“5”處，隔板兩邊容器內(nèi)的壓強均為100kPa。
若固定隔板于“5”處，當(dāng)右側(cè)容器內(nèi)反應(yīng)2HF（g）?（HF）2（g）達(dá)到平衡狀態(tài)時，右側(cè)容器內(nèi)壓強為P1；松開隔板，隔板移至“6”處并達(dá)到新的平衡，此時右側(cè)容器內(nèi)壓強為P2，則P1小于小于P2（填“大于”、“小于”或“等于”）。該溫度下，2HF（g）?（HF）2（g）反應(yīng)的平衡常數(shù)KP=0.240.24kPa-1。
（KP為以分壓表示的平衡常數(shù)，計算結(jié)果保留2位有效數(shù)字）
（4）若將上述容器改為絕熱容器，固定隔板在“5”處，下列不能說明右側(cè)容器內(nèi)反應(yīng)已達(dá)平衡狀態(tài)的是 AEAE。
A．容器右側(cè)氣體的密度不再改變
B．容器右側(cè)的溫度不再改變
C．容器右側(cè)氣體的壓強不再改變
D．容器右側(cè)氣體的平均相對分子質(zhì)量不再改變
E．2v（HF）正=v[（HF）2]逆
（5）某溫度下，將分析濃度（總濃度）相同的HCl、HF和CH3COOH三種溶液，分別加水稀釋時，溶液pH變化如圖所示。
圖中，氫氟酸溶液在稀釋初期的pH上升特別快，據(jù)此判斷，（HF）2與HF的酸性相比，較強的是 （HF）2（HF）2。
（6）NaF和HF的混合溶液具有一定的緩沖能力，即加入少量的酸或堿時，溶液的pH基本保持不變。試結(jié)合方程式和必要的文字解釋之 溶液中存在平衡HF?F-+H+，F(xiàn)-和HF的濃度均較大，當(dāng)加入少量酸時，平衡左移，當(dāng)加入少量堿時，平衡右移，溶液中c（H+）變化不大，故溶液pH基本不變（表達(dá)合理且有平衡方程式即可）溶液中存在平衡HF?F-+H+，F(xiàn)-和HF的濃度均較大，當(dāng)加入少量酸時，平衡左移，當(dāng)加入少量堿時，平衡右移，溶液中c（H+）變化不大，故溶液pH基本不變（表達(dá)合理且有平衡方程式即可）。
HF
-
2
HF
-
2
【答案】-67.7kJ/mol；HF分子間可形成氫鍵；?H++2F-；小于；0.24；AE；（HF）2；溶液中存在平衡HF?F-+H+，F(xiàn)-和HF的濃度均較大，當(dāng)加入少量酸時，平衡左移，當(dāng)加入少量堿時，平衡右移，溶液中c（H+）變化不大，故溶液pH基本不變（表達(dá)合理且有平衡方程式即可）
HF
-
2
【解答】
【點評】
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發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：69引用：6難度：0.5
相似題
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1．a是一種難溶于水的氧化物，能熔于熔融態(tài)的燒堿，生成易溶于水的化合物b,將少量b溶液滴入鹽酸中，最終能生成一種白色的膠狀沉淀，則a為（ ?。?/h2>
發(fā)布：2024/12/21 8:0:2組卷：8引用：1難度：0.9 -
2．含硅元素的化合物廣泛存在于自然界中，與其他礦物共同構(gòu)成巖石．晶體硅（熔點 1410℃）用途廣泛，制取與提純方法有多種．
（1）煉鋼開始和結(jié)束階段都可能發(fā)生反應(yīng)：Si+2FeO2Fe+SiO2，其目的是高溫．
A．得到副產(chǎn)品硅酸鹽水泥
B．制取SiO2，提升鋼的硬度
C．除去生鐵中過多的Si雜質(zhì)
D．除過量FeO，防止鋼變脆
（2）一種由粗硅制純硅過程如下：Si（粗）SiCl4Cl2460℃SiCl4（純）蒸餾Si（純），在上述由SiCl4制純硅的反應(yīng)中，測得每生成 1.12kg純硅需吸收akJ熱量，寫出該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式：H21100℃．
對于鈉的鹵化物（NaX）和硅的鹵化物（SiX4）下列敘述正確的是
A．NaX易水解
B．SiX4是共價化合物
C．NaX的熔點一般高于SiX4 D．SiF4晶體是由共價鍵形成的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)
（3）粗硅經(jīng)系列反應(yīng)可生成硅烷（SiH4），硅烷分解也可以生成高純硅．硅烷的熱穩(wěn)定性弱于甲烷，所以Si元素的非金屬性弱于C元素，用原子結(jié)構(gòu)解釋其原因：．
（4）此外，還可以將粗硅轉(zhuǎn)化成三氯氫硅（SiHCl3），通過反應(yīng)：SiHCl3（g）+H2（g）?Si（s）+3HCl（g）制得高純硅．不同溫度下，SiHCl3的平衡轉(zhuǎn)化率隨反應(yīng)物的投料比（反應(yīng)初始時，各反應(yīng)物的物質(zhì)的量之比）的變化關(guān)系如下圖所示．下列說法正確的是（填字母序號）．
a.該反應(yīng)的平衡常數(shù)隨溫度升高而增大
b.橫坐標(biāo)表示的投料比應(yīng)該是n（SiHCl3）n（H2）
c.實際生產(chǎn)中為提高SiHCl3的利用率，可適當(dāng)降低壓強
（5）硅元素最高價氧化物對應(yīng)的水化物是H2SiO3．室溫下，0.1mol/L的硅酸鈉溶液和0.1mol/L的碳酸鈉溶液，堿性更強的是，其原因是．
已知：H2SiO3：Ki1=2.0×10-10 Ki2=1.0×10-12 H2CO3：Ki1=4.3×10-7 Ki2=5.6×10-11．發(fā)布：2024/12/26 8:0:1組卷：89引用：1難度：0.5 -
3．硅及其化合物的開發(fā)由來已久，在現(xiàn)代生活中有廣泛應(yīng)用．回答下列問題．
（1）高純硅是現(xiàn)代信息、半導(dǎo)體和光伏發(fā)電等產(chǎn)業(yè)都需要的基礎(chǔ)材料．工業(yè)上提純硅有多種路線，其中一種工藝流程示意圖及主要反應(yīng)如圖．
①還原爐中發(fā)生主要反應(yīng)的化學(xué)方程式為發(fā)生的主要反應(yīng) 電弧爐 SiO2+2C Si+2CO↑1600-1800℃流化床反應(yīng)器 Si+3HCl SiHCl3+H2250-300還原爐 ．該工藝中可循環(huán)使用的物質(zhì)為（填化學(xué)式）．用石英砂和焦炭在電弧爐中高溫加熱也可以生產(chǎn)碳化硅，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為．
②在流化床反應(yīng)的產(chǎn)物中，SiHCl3大約占85%，還有SiCl4、SiH2Cl2、SiH3Cl等，有關(guān)物質(zhì)的沸點數(shù)據(jù)如下表，提純SiHCl3的主要工藝操作依次是沉降、冷凝和．
③SiHCl3極易水解，其完全水解的化學(xué)方程式為物質(zhì) Si SiCl4 SiHCl3 SiH2Cl2 SiH3Cl HCl SiH4 沸點/℃ 2355 57.6 31.8 8.2 -30.4 -84.9 -111.9 ．
（2）氮化硅（Si3N4）是一種高溫結(jié)構(gòu)材料，粉末狀態(tài)的Si3N4可以由SiCl4的蒸氣和NH3反應(yīng)制?。勰頢i3N4遇空氣和水都不穩(wěn)定．但將粉末狀的Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105Pa和185℃的密閉容器中進(jìn)行熱處理，可以制得結(jié)構(gòu)十分緊密、對空氣和水都相當(dāng)穩(wěn)定的固體材料，同時還得到遇水不穩(wěn)定的Mg3N2．
①由SiCl4和NH3反應(yīng)制取Si3N4的化學(xué)方程式為．
②四氯化硅和氮氣在氫氣氣氛保護(hù)下，加強熱發(fā)生反應(yīng)，使生成的Si3N4沉積在石墨表面可得較高純度的氮化硅，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為．
③Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105Pa和185℃的密閉容器中進(jìn)行熱處理的過程中，除生成Mg3N2外，還可能生成物質(zhì)（填化學(xué)式）．熱處理后除去MgO和Mg3N2的方法是．發(fā)布：2024/12/26 8:0:1組卷：29引用：1難度：0.5
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