B、Si和P是組成半導(dǎo)體材料的重要元素?;卮鹣铝袉?wèn)題
(1)基態(tài)B、Si和P中,單電子數(shù)最多的是 PP,電負(fù)性最大的是 PP。
(2)PCl3中心原子的雜化類(lèi)型為 sp3sp3,BCl3與陰離子 CO2-3或NO-3等CO2-3或NO-3等互為等電子體。
(3)SiCl4極易與水反應(yīng),其反應(yīng)機(jī)理如圖1所示。
①上述反應(yīng)機(jī)理涉及的分子中屬于非極性分子的是 SiCl4和H4SiO4SiCl4和H4SiO4。(填化學(xué)式)
②關(guān)于上述反應(yīng)機(jī)理的說(shuō)法正確的是 BCBC。
A.Si的雜化方式一直沒(méi)有發(fā)生變化
B.H2O中O通過(guò)孤對(duì)電子與Si形成配位鍵
C.只涉及了極性共價(jià)鍵的斷裂與形成
(4)兩種含硅化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示
①這兩種含硅化合物的化學(xué)式分別為 SiB6SiB6和 SiPSiP。
②Ⅰ的晶胞參數(shù)為apm,則Ⅰ的密度為 94a3NA×103094a3NA×1030g?cm-3。
③Ⅱ的晶胞參數(shù)為bpm,Si和P的原子半徑分別為r1pm和r2pm,則Ⅱ的空間占有率為 16π(r31+r32)3a3=16π(r31+r32)3b3×100%16π(r31+r32)3a3=16π(r31+r32)3b3×100%。
CO
2
-
3
NO
-
3
CO
2
-
3
NO
-
3
94
a
3
N
A
94
a
3
N
A
16
π
(
r
3
1
+
r
3
2
)
3
a
3
16
π
(
r
3
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+
r
3
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)
3
b
3
16
π
(
r
3
1
+
r
3
2
)
3
a
3
16
π
(
r
3
1
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r
3
2
)
3
b
3
【答案】P;P;sp3;或等;SiCl4和H4SiO4;BC;SiB6;SiP;×1030;=×100%
CO
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NO
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b
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【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布:2024/4/20 14:35:0組卷:36引用:2難度:0.5
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(3)Na2O的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示,已知該晶胞的密度為ρ g?cm-3,阿伏加德羅常數(shù)為NA,則晶胞邊長(zhǎng)a=發(fā)布:2024/12/20 8:0:1組卷:8引用:1難度:0.5 -
2.一種從照相底片中回收單質(zhì)銀的方法如下:
步驟1:用Na2S2O3溶液浸泡照相底片,未曝光的AgBr轉(zhuǎn)化成Na3[Ag(S2O3)2]而溶解。
步驟2:在步驟1所得溶液中加稍過(guò)量Na2S溶液,充分反應(yīng)后過(guò)濾出黑色沉淀。
步驟3:將黑色沉淀在空氣中灼燒,回收單質(zhì)銀。
下列說(shuō)法正確的是( ?。?/h2>發(fā)布:2024/12/20 1:30:2組卷:79引用:5難度:0.8 -
3.有關(guān)晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示,下列說(shuō)法中錯(cuò)誤的是( ?。?br />
發(fā)布:2024/12/20 16:0:2組卷:174引用:4難度:0.7
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