在芯片制造過程中,離子注入是其中一道重要的工序。如圖所示是離子注入工作原理示意圖,離子經(jīng)加速后沿水平方向進(jìn)入速度選擇器,然后通過磁分析器,選擇出特定比荷的離子,經(jīng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)后注入處在水平面內(nèi)的晶圓(硅片)。速度選擇器、磁分析器和偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中的勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B,方向均垂直于紙面向外;速度選擇器和偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中的勻強(qiáng)電場的電場強(qiáng)度大小均為E,方向分別為豎直向上和垂直于紙面向外。磁分析器截面是內(nèi)外半徑分別為R1和R2的四分之一圓環(huán),其兩端中心位置M和N處各有一個小孔;偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中電場和磁場的分布區(qū)域是棱長為L的正方體,其底面與晶圓所在水平面平行,間距也為L。當(dāng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)不加電場及磁場時,離子恰好豎直注入到晶圓上的O點(diǎn)(即圖中坐標(biāo)原點(diǎn),x軸垂直紙面向外)。整個系統(tǒng)置于真空中,不計離子重力及離子間的相互作用,打在晶圓上的離子,經(jīng)過電場和磁場偏轉(zhuǎn)的角度都很小。當(dāng)α很小時,有sinα≈tanα≈α,cosα≈1-12α2。求:
(1)通過磁分析器選擇出來的離子的比荷;
(2)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)僅加電場時,離子在穿越偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中沿電場方向偏轉(zhuǎn)的距離;
(3)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)僅加磁場時,離子注入晶圓的位置坐標(biāo)(x,y)(用長度R1、R2及L表示)。
cosα
≈
1
-
1
2
α
2
【答案】見試題解答內(nèi)容
【解答】
【點(diǎn)評】
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發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:246引用:1難度:0.3
相似題
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1.如圖所示,在y軸的右方有一磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B的方向垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場,在x軸的下方有一方向平行x軸向左的勻強(qiáng)電場?,F(xiàn)有一質(zhì)量為m、電荷量為q的粒子由靜止經(jīng)過加速電壓為U的電場加速,并從y軸上的A點(diǎn)垂直y軸進(jìn)入第一象限,而后從x軸上的P處以與x軸正方向夾角為60°的方向進(jìn)入第四象限,最后到達(dá)y軸上的Q點(diǎn)(圖中未畫出)。已知電場的電場強(qiáng)度大小
,不考慮粒子受到的重力,則( )E=BqU6m發(fā)布:2024/12/20 7:0:1組卷:102引用:1難度:0.3 -
2.如圖所示,平行邊界M、N間有垂直邊界向右的勻強(qiáng)電場,勻強(qiáng)電場的電場強(qiáng)度為E=103V/m,平行邊界N、P間有垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場,相鄰邊界間距均為L=0.2m,一個質(zhì)量為m=10-11kg、電荷量為q=10-7C的帶正電的粒子從電場中緊靠邊界M的O點(diǎn),以垂直電場方向向上、大小為v0=2×103m/s的初速度射入電場,經(jīng)電場偏轉(zhuǎn)后,粒子進(jìn)入磁場,粒子剛好不從磁場的邊界P射出磁場。不計粒子的重力,求:
(1)粒子從O開始第一次運(yùn)動到邊界N時速度的大??;
(2)勻強(qiáng)磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度的大??;
(3)粒子第一次在磁場中運(yùn)動的時間。發(fā)布:2024/12/20 2:30:1組卷:176引用:4難度:0.5 -
3.如圖所示,在y>0的空間中存在沿y軸負(fù)方向的勻強(qiáng)電場,在y<0的空間中存在方向垂直xOy平面(紙面)向外的勻強(qiáng)磁場,一電荷量為q、質(zhì)量為m的帶正電的粒子,比荷
C/kg,自y軸上的P1點(diǎn)以速率v0=10m/s沿x軸正方向射入電場;然后經(jīng)過x軸上的P2點(diǎn)進(jìn)入磁場,經(jīng)磁場偏轉(zhuǎn)后,經(jīng)過坐標(biāo)原點(diǎn)O返回第一象限。已知OP1=d=1m,OP2=2qm=13×10-2m,不計粒子重力。求:3d=23
(1)電場強(qiáng)度E的大小;
(2)磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小;
(3)粒子從點(diǎn)P1到第一次經(jīng)過坐標(biāo)原點(diǎn)O所用的時間t。發(fā)布:2024/12/15 17:30:1組卷:458引用:1難度:0.6
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