砷化鎵（GaAs）是優(yōu)良的半導體材料，可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等?；卮鹣铝袉栴}：
（1）寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p³

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p³

。
（2）根據(jù)元素周期律，原子半徑Ga

大于

大于

As,第一電離能Ga

小于

小于

As.（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl₃分子的立體構(gòu)型為

三角錐形

三角錐形

，其中As的雜化軌道類型為

sp³

sp³

。
（4）GaF₃的熔點高于1000℃，GaCl₃的熔點為77.9℃，其原因是

GaF₃為離子晶體，GaCl₃為分子晶體，離子晶體的熔點高

GaF₃為離子晶體，GaCl₃為分子晶體，離子晶體的熔點高

。
（5）GaAs的熔點為1238℃，密度為ρ g?cm^-3，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶體的類型為

原子晶體

原子晶體

，Ga與As以

共價

共價

鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為M_Gag?mol^-1和M_Asg?mol^-1，原子半徑分別為r_Gapm和r_Aspm,阿伏加德羅常數(shù)值為N_A，則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為

4

π

×

1

0

-

30

N

A

ρ

（

r

3

G

a

+

r

3

A

s

）

3

（

M

G

a

+

M

A

s

）

×100%

4

π

×

1

0

-

30

N

A

ρ

（

r

3

G

a

+

r

3

A

s

）

3

（

M

G

a

+

M

A

s

）

×100%

。