我國(guó)科學(xué)家研發(fā)的全球首套千噸級(jí)太陽(yáng)能燃料合成項(xiàng)目被形象地稱(chēng)為“液態(tài)陽(yáng)光”計(jì)劃，太陽(yáng)能電池板主要材料為單晶硅或多晶硅。
（1）與硅同主族的鍺元素的價(jià)層電子排布式為

4s²4p²

4s²4p²

。
（2）NCl₃、SiCl₄、SCl₂的鍵角由大到小的順序?yàn)?

SiCl₄、NCl₃、SCl₂

SiCl₄、NCl₃、SCl₂

，其中SCl₂的分子構(gòu)型為

V形

V形

。
（3）環(huán)戊基二乙基硅基乙炔分子結(jié)構(gòu)為，分子中σ鍵和π鍵的個(gè)數(shù)比為

16：1

16：1

。
（4）碳與硅元素同主族，但形成的晶體性質(zhì)卻有不同。單晶硅不導(dǎo)電，但石墨能導(dǎo)電，石墨能夠?qū)щ姷脑蚴?

石墨中每個(gè)碳原子均為sp²雜化，剩余1個(gè)p電子的軌道重疊形成一個(gè)離域大π鍵，使電子可在層間自由移動(dòng)

石墨中每個(gè)碳原子均為sp²雜化，剩余1個(gè)p電子的軌道重疊形成一個(gè)離域大π鍵，使電子可在層間自由移動(dòng)

。
（5）SiC和單晶硅具有相似的晶體結(jié)構(gòu)，但SiC熔點(diǎn)更高，其原因是

SiC和單晶硅同為原子晶體，r（C）＜r（Si），Si—C鍵比Si—Si鍵更短，鍵能更大，不易斷裂，故SiC熔點(diǎn)更高

SiC和單晶硅同為原子晶體，r（C）＜r（Si），Si—C鍵比Si—Si鍵更短，鍵能更大，不易斷裂，故SiC熔點(diǎn)更高

。
（6）晶胞中原子的位置通?？捎迷臃?jǐn)?shù)坐標(biāo)表示（原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)：將原子位置的坐標(biāo)表示為晶胞棱長(zhǎng)的分?jǐn)?shù)）。復(fù)雜結(jié)構(gòu)的三維表示往往難以在二維圖上繪制和解釋?zhuān)梢詮木О囊粋€(gè)方向（通常選擇晶胞的一個(gè)軸的方向）往下看，某面心立方晶胞的投影圖如圖1所示。某種硫化硅晶體的晶胞結(jié)構(gòu)的投影圖如圖2所示。

①該硫化硅晶體的化學(xué)式為

SiS₂

SiS₂

。
②在該晶胞中與S距離最近的Si的數(shù)目為

2

2

。
③若距離最近的Si和S的核間距為dnm,阿伏加德羅常數(shù)的值為N_A，則該硫化硅晶體的密度為

2

×

28

+

2

×

32

N

A

×

（

4

3

d

×

1

0

-

7

）

3

2

×

28

+

2

×

32

N

A

×

（

4

3

d

×

1

0

-

7

）

3

g?cm^-3（列出算式即可）。