半導體芯片的關鍵材料是我國優(yōu)先發(fā)展的新材料。經(jīng)過半個多世紀的發(fā)展，硅基材料的半導體器件性能已經(jīng)接近其物理極限，以碳化硅、氯化鎵等為代表的第二代半導體材料成為當今熱點。
回答如下問題：
（1）上述材料所涉及的四種元素中，原子半徑最大的是 GaGa（填元素符號，下同），這四種元素中第一電離能最大的是 NN，基態(tài)Si原子的電子占據(jù)的軌道數(shù)目是 88個。
（2）硅酸根SiO44-的空間構型是 正四面體正四面體，其中Si的價層電子對數(shù)目為 44、雜化軌道類型為 sp3sp3。
（3）上述材料所涉及的四種元素對應的單質中，熔沸點最低的是 N2N2，原因是 N2為分子晶體，分子之間是較弱的范德華力結合N2為分子晶體，分子之間是較弱的范德華力結合。
（4）GaN被譽為21世紀引領5G時代的基石材料，是目前全球半導體研究的前沿和熱點。有一種氮化鎵的六方晶胞結構如圖所示，請在圖中構建一個以Ga原子為中心的四面體結構（涂成◎）
（5）材料密度是制作芯片的重要參數(shù)之一，已知Si的共價半徑是125pm。求每立方厘米體積的單晶硅中硅的原子數(shù)目為 4.2×10224.2×1022（保留 2位有效數(shù)字）。
【答案】Ga；N；8；正四面體；4；sp3；N2；N2為分子晶體，分子之間是較弱的范德華力結合；4.2×1022
【解答】
【點評】
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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：12引用：1難度：0.4
相似題
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1．生活、實驗室中接觸的很多物質含有第二周期的元素，比如：石墨、Na2O、配合物Na2[Fe（CN）5（NO）]等．
（1）①Na2[Fe（CN）5（NO）]中中心離子的未成對電子數(shù)為個．（寫具體數(shù)字）
②Na2[Fe（CN）5（NO）]中原子序數(shù)之和為15的兩種元素中第一電離能較大的是（寫元素名稱），二者能形成原子個數(shù)比為1：3的一種常見微粒，推測這種微粒的空間構型為．
（2）石墨的結構如圖1所示．若已知每個共價鍵的鍵長為142pm,可以計算出每個正六邊形的面積約為5.24×10-20m2，則將12g石墨單質中的每一層都剝離出來彼此緊密連接，其總面積約為m2（NA=6.02×1023）．（保留3位有效數(shù)字，用科學記數(shù)法表達）
（3）Na2O的晶胞結構如圖2所示，已知該晶胞的密度為ρ g?cm-3，阿伏加德羅常數(shù)為NA，則晶胞邊長a=cm.發(fā)布：2024/12/20 8:0:1組卷：8引用：1難度：0.5 -
2．一種從照相底片中回收單質銀的方法如下：
步驟1：用Na2S2O3溶液浸泡照相底片，未曝光的AgBr轉化成Na3[Ag（S2O3）2]而溶解。
步驟2：在步驟1所得溶液中加稍過量Na2S溶液，充分反應后過濾出黑色沉淀。
步驟3：將黑色沉淀在空氣中灼燒，回收單質銀。
下列說法正確的是（ ?。?/h2>發(fā)布：2024/12/20 1:30:2組卷：79引用：5難度：0.8 -
3．有關晶體的結構如圖所示，下列說法中錯誤的是（ ?。?br />
發(fā)布：2024/12/20 16:0:2組卷：174引用：4難度：0.7
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