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2021年四川省九市(眉山、廣安、遂寧、資陽、雅安、樂山、內江、自貢、廣元)高考化學二診試卷

發(fā)布:2024/11/30 1:0:2

一、選擇題

  • 1.垃圾分類是生態(tài)文明的進步,也是每個人都能參與的環(huán)保方式。下列關于垃圾處理的說法錯誤的是( ?。?/h2>

    組卷:21難度:0.6
  • 2.近期,我國研究人員報道了溫和條件下實現固氮的一類三元NiFeV催化劑,如圖為其電催化固氮的機理示意圖。設 NA為阿伏加德夏常數的值。關于該電催化過程敘述正確的是( ?。?br />菁優(yōu)網

    組卷:62難度:0.5
  • 3.用圖示裝置進行有關實驗,能達到相應實驗目的的是( ?。?br />菁優(yōu)網

    組卷:67引用:5難度:0.5
  • 菁優(yōu)網4.離子化合物 Z2Y2X8是一種強氧化劑,結構如下圖所示,X、Y、Z為處于不同周期的主族元素,其原子序數依次增大且不超過 20,X、Y 在同一主族,且質子數為1:2。下列敘述正確的是( ?。?/h2>

    組卷:22引用:1難度:0.5

【化學--選修3:物質結構與性質】

  • 菁優(yōu)網11.半導體芯片的關鍵材料是我國優(yōu)先發(fā)展的新材料。經過半個多世紀的發(fā)展,硅基材料的半導體器件性能已經接近其物理極限,以碳化硅、氯化鎵等為代表的第二代半導體材料成為當今熱點。
    回答如下問題:
    (1)上述材料所涉及的四種元素中,原子半徑最大的是
     
    (填元素符號,下同),這四種元素中第一電離能最大的是
     
    ,基態(tài)Si原子的電子占據的軌道數目是
     
    個。
    (2)硅酸根SiO44-的空間構型是
     
    ,其中Si的價層電子對數目為
     
    、雜化軌道類型為
     
    。
    (3)上述材料所涉及的四種元素對應的單質中,熔沸點最低的是
     
    ,原因是
     
    。
    (4)GaN被譽為21世紀引領5G時代的基石材料,是目前全球半導體研究的前沿和熱點。有一種氮化鎵的六方晶胞結構如圖所示,請在圖中構建一個以Ga原子為中心的四面體結構(涂成◎)
    (5)材料密度是制作芯片的重要參數之一,已知Si的共價半徑是125pm。求每立方厘米體積的單晶硅中硅的原子數目為
     
    (保留 2位有效數字)。

    組卷:12難度:0.4

【化學--選修5:有機化學基礎】

  • 12.以苯酚為原料可以制備酚酞等多種重要的有機物。
    已知:
    (Ⅰ)菁優(yōu)網
    (Ⅱ)菁優(yōu)網
    (1)雙酚 A的分子式是
     
    ,其官能團的名稱為
     
    。
    (2)酸性條件下,以苯酚和甲醛為原料可以制備一種重要的高分子化合物,寫出該反應的化學方程式
     
    ;同樣條件下苯酚與丙酮反應得不到聚合物,這說明與苯酚反應活性:甲醛
     
    丙酮(填寫“高于“或“低于“)。
    (3)以二甲苯等為原料通過3 步反應可以制備酚酞,合成路線如下:
    菁優(yōu)網
    ①X的結構簡式為
     
    ;Y的結構簡式為
     
    ;
    ②反應條件Ⅰ為
     
    ;生成 X的反應類型是
     
    ;
    ③生成酚酞步驟產生小分子
     
    。
    (4)酚酞在過量的濃堿條件下會生成無色有機陰離子Z,寫出Z的結構簡式
     
    。

    組卷:5引用:1難度:0.5
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