芯片是國(guó)家科技的心臟。在硅及其化合物上進(jìn)行蝕刻是芯片制造中非常重要的環(huán)節(jié)。三氟化氮（NF3）、四氟化碳（CF4）是常見(jiàn)的蝕刻劑。
（1）高純?nèi)獙?duì)二氧化硅具有優(yōu)異的蝕刻速率和選擇性。
①二氧化硅的晶胞結(jié)構(gòu)如圖-1所示，二氧化硅晶體中硅原子周?chē)罱墓柙佑?44個(gè)。
②工業(yè)上常采用F2直接氟化尿素[CO（NH2）2]的方法生產(chǎn)NF3，得到的NF3中常含有少量CF4，常溫下，三種物質(zhì)在水中的溶解性大小順序?yàn)椋篊F4＜NF3＜NH3，原因是 CF4是非極性分子，NF3、NH3均為極性分子，但NH3的極性比NF3大，且NH3更易與水形成分子間氫鍵CF4是非極性分子，NF3、NH3均為極性分子，但NH3的極性比NF3大，且NH3更易與水形成分子間氫鍵。
（2）四氟化碳的一種蝕刻機(jī)理是：CF4在等離子體的條件下產(chǎn)生活性自由基（?F），該自由基易與硅及其化合物中的硅原子結(jié)合生成SiF4氣體從而達(dá)到蝕刻目的。用CF4（g）進(jìn)行蝕刻時(shí)常與氧氣混合，當(dāng)混合氣體的流速分別為80mL?min-1和100mL?min-1時(shí)，蝕刻速率隨混合氣體中O2和CF4體積之比[V（O2）/V（CF4）]的變化如圖-2所示。
①a點(diǎn)蝕刻速率比b點(diǎn)快的原因是 a點(diǎn)產(chǎn)生活性自由基（?F）的濃度大a點(diǎn)產(chǎn)生活性自由基（?F）的濃度大。
②蝕刻速率隨V（O2）/V（CF4）先升高后降低的原因是 O2與CF4中的C元素反應(yīng)生成CO（或CO2），O2的體積分?jǐn)?shù)增大，有利于產(chǎn)生更高濃度的活性自由基（?F）；隨著O2體積分?jǐn)?shù)的繼續(xù)增加，CF4的含量減小，產(chǎn)生活性自由基（?F）的濃度減小O2與CF4中的C元素反應(yīng)生成CO（或CO2），O2的體積分?jǐn)?shù)增大，有利于產(chǎn)生更高濃度的活性自由基（?F）；隨著O2體積分?jǐn)?shù)的繼續(xù)增加，CF4的含量減小，產(chǎn)生活性自由基（?F）的濃度減小。
（3）NF3是一種強(qiáng)溫室氣體，消除大氣中的 NF3對(duì)于環(huán)境保護(hù)具有重要意義。國(guó)內(nèi)某科研團(tuán)隊(duì)研究了利用氫自由基（?H）的脫氟反應(yīng)實(shí)現(xiàn)NF3的降解。降解生成?NF2和HF的兩種反應(yīng)歷程如圖-3所示。其中直接抽提反應(yīng)是降解的主要?dú)v程，原因是 直接抽提反應(yīng)的活化能小，反應(yīng)步驟少直接抽提反應(yīng)的活化能小，反應(yīng)步驟少。
【考點(diǎn)】晶胞的計(jì)算．
【答案】4；CF4是非極性分子，NF3、NH3均為極性分子，但NH3的極性比NF3大，且NH3更易與水形成分子間氫鍵；a點(diǎn)產(chǎn)生活性自由基（?F）的濃度大；O2與CF4中的C元素反應(yīng)生成CO（或CO2），O2的體積分?jǐn)?shù)增大，有利于產(chǎn)生更高濃度的活性自由基（?F）；隨著O2體積分?jǐn)?shù)的繼續(xù)增加，CF4的含量減小，產(chǎn)生活性自由基（?F）的濃度減??；直接抽提反應(yīng)的活化能小，反應(yīng)步驟少
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：33引用：1難度：0.6
相似題
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1．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關(guān)信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個(gè)未成對(duì)電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個(gè)能層，K、L、M全充滿(mǎn)，最外層只有一個(gè)電子．
試回答下列問(wèn)題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為，F(xiàn)的價(jià)層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)填寫(xiě)），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應(yīng)式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍(lán)色沉淀溶解，得到深藍(lán)色溶液，再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇，析出深藍(lán)色晶體．藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結(jié)構(gòu)（面心立方）如圖2所示：已知兩個(gè)最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對(duì)原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
2．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉?wèn)題：
（1）基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類(lèi)型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知：C60晶胞棱長(zhǎng)為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成），則平均每一個(gè)C60晶胞中有個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿(mǎn)所有空隙后，這類(lèi)C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿(mǎn)所有空隙，距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4 -
3．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱(chēng)摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱(chēng)為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號(hào)表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長(zhǎng)為a nm、FeS2相對(duì)式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7
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