四種常見(jiàn)元素基態(tài)原子的結(jié)構(gòu)信息如下表．下列大小關(guān)系不一定正確的是（　?。?br />

元素 X Y Z Q

結(jié)構(gòu)信息有5個(gè)原子軌道填充有電子，有3個(gè)未成對(duì)電子有8個(gè)不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子 2p能級(jí)上有2個(gè)電子價(jià)層電子排布式為3d¹⁰4s¹

A．電負(fù)性：Y＞X

B．第一電離能：Y＜X

C．單質(zhì)的硬度：Z＞Q

D．最高價(jià)含氧酸的酸性：X＞Z

【答案】C

【解答】

【點(diǎn)評(píng)】

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發(fā)布：2024/5/14 8:0:9組卷：127引用：6難度：0.5

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2．已知四鹵化硅SiX₄的沸點(diǎn)和二鹵化鉛PbX₂的熔點(diǎn)如圖所示，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（　?。?br />

A．標(biāo)準(zhǔn)狀況下，1molSiF₄的體積約為22.4L

B．SiX₄的沸點(diǎn)依F、Cl、Br、I次序升高的原因是結(jié)構(gòu)相似，分子間作用力依次增大

C．圖中所示的SiX₄分子中，各原子均滿(mǎn)足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)

D．結(jié)合PbX₂熔點(diǎn)的變化規(guī)律，可推斷依F、Cl、Br、I次序，PbX₂中的化學(xué)鍵中離子鍵的百分?jǐn)?shù)增大

發(fā)布：2024/12/20 10:0:1組卷：17引用：1難度：0.6

A．基態(tài)原子的能量一定比激發(fā)態(tài)原子的能量低

B．1s²2s¹2p¹表示的是基態(tài)原子的電子排布

C．日常生活中我們看到的許多可見(jiàn)光，如霓虹燈光、節(jié)日焰火，都與原子核外電子發(fā)生躍遷釋放能量有關(guān)

D．電子僅在激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時(shí)才會(huì)產(chǎn)生原子光譜

發(fā)布：2024/12/19 0:0:2組卷：33引用：3難度：0.6

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元素	X	Y	Z	Q
結(jié)構(gòu)信息	有5個(gè)原子軌道填充有電子，有3個(gè)未成對(duì)電子	有8個(gè)不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子	2p能級(jí)上有2個(gè)電子	價(jià)層電子排布式為3d¹⁰4s¹