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1311.(1)Cu的一種氯化物晶胞結(jié)構(gòu)如圖1所示(黑球表示銅原子,白球表示氯原子),該氯化物的化學(xué)式是
(2)一種四方結(jié)構(gòu)的超導(dǎo)化合物的晶胞如圖2所示,晶胞中Sm和As原子的投影位置如圖3所示。圖中F-和O2-共同占據(jù)晶胞的上下底面位置,若兩者的比例依次用x和1-x代表,則該化合物的化學(xué)式表示為
以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置,稱作原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo),例如圖1中原子1的坐標(biāo)為(,12,12),則原子2和3的坐標(biāo)分別為12發(fā)布:2024/12/30 12:30:1組卷:23引用:6難度:0.41312.下列說(shuō)法不正確的是( ?。?/h2>
發(fā)布:2024/12/30 12:30:1組卷:17引用:2難度:0.71313.已知:①CS2②PCl3③H2S(g)④CH2O⑤H3O+⑥
⑦BF3⑧SO2.請(qǐng)回答下列問(wèn)題:NH+4
(1)中心原子沒(méi)有孤電子對(duì)的是
(2)立體構(gòu)型為直線形的分子或離子有
(3)立體構(gòu)型為V形的分子或離子有發(fā)布:2024/12/30 12:30:1組卷:21引用:1難度:0.61314.X、Y、Z、M、Q、R是元素周期表前四周期的元素,且原子序數(shù)依次增大,其相關(guān)信息如表所示:
元素 相關(guān)信息 X 原子核外有6種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子 Y 基態(tài)原子中s電子總數(shù)與p電子總數(shù)相同 Z 形成的氧化物和強(qiáng)酸、強(qiáng)堿都可以反應(yīng) M 基態(tài)原子的最外層p軌道上有兩個(gè)電子的自旋方向與其他電子的自旋方向相反 Q 前4周期元素原子核外電子排布中未成對(duì)電子數(shù)最多的元素 R 基態(tài)原子核外有7個(gè)能級(jí)上有電子且能量最高的能級(jí)上有6個(gè)電子
(2)X、Y、Z三種元素的原子半徑由小到大的順序是
(3)M元素基態(tài)原子中能量最高的電子的電子云在空間有
(4)小范同學(xué)寫(xiě)了某基態(tài)原子的兩個(gè)價(jià)電子的表達(dá)式,分析其分別違背了什么原理:
①3s13p4:
②:
(5)元素R可形成R2+和R3+,其中較穩(wěn)定的是R3+,從原子結(jié)構(gòu)角度解釋原因是發(fā)布:2024/12/30 12:30:1組卷:29引用:2難度:0.51315.有下列八種晶體:A.水晶 B.冰醋酸 C.氧化鎂 D.白磷 E.晶體氬 F.氯化銨 G.過(guò)氧化鉀 H.金剛石
(1)屬于原子晶體的化合物是
(2)由分子構(gòu)成的晶體是
(3)受熱熔化化學(xué)鍵不發(fā)生變化的是發(fā)布:2024/12/30 12:30:1組卷:27引用:3難度:0.51316.下列分子的VSEPR模型與分子立體結(jié)構(gòu)模型一致的是( ?。?/h2>
發(fā)布:2024/12/30 12:30:1組卷:17引用:5難度:0.91317.下列分子或離子中,中心原子含有孤對(duì)電子的是( ?。?/h2>
發(fā)布:2024/12/30 12:30:1組卷:17引用:5難度:0.91318.下列說(shuō)法正確的是( ?。?/h2>
發(fā)布:2024/12/30 12:30:1組卷:23引用:2難度:0.71319.下列物質(zhì)所屬晶體類型判斷正確的是( )
發(fā)布:2024/12/30 12:30:1組卷:28引用:2難度:0.71320.價(jià)層電子對(duì)互斥理論(簡(jiǎn)稱VSEPR理論)可用于預(yù)測(cè)簡(jiǎn)單分子的立體構(gòu)型.其要點(diǎn)可以概括為:
Ⅰ.用AXnEm表示只含一個(gè)中心原子的分子組成,A為中心原子,X為與中心原子相結(jié)合的原子,E為中心原子最外層未參與成鍵的電子對(duì)(稱為孤電子對(duì)),(n+m)稱為價(jià)層電子對(duì)數(shù).分子中的價(jià)層電子對(duì)總是互相排斥,均勻地分布在中心原子周圍的空間;
Ⅱ.分子的空間構(gòu)型是指分子中的原子在空間的排布,不包括中心原子未成鍵的孤電子對(duì);
Ⅲ.分子中價(jià)層電子對(duì)之間的斥力主要順序?yàn)椋?br />?。码娮訉?duì)之間的斥力>孤電子對(duì)與共用電子對(duì)之間的斥力>共用電子對(duì)之間的斥力;ⅱ.雙鍵與雙鍵之間的斥力>雙鍵與單鍵之間的斥力>單鍵與單鍵之間的斥力;ⅲ.X原子得電子能力越弱,A-X形成的共用電子對(duì)之間的斥力越強(qiáng);ⅳ.其他.請(qǐng)仔細(xì)閱讀上述材料,回答下列問(wèn)題:
(1)根據(jù)要點(diǎn)Ⅰ可以畫(huà)出AXnEm的VSEPR理想模型,請(qǐng)?zhí)顚?xiě)下表:n+m 2 VSEPR理想模型 正四面體形 價(jià)層電子對(duì)
之間的理想鍵角109°28′
(3)用價(jià)層電子對(duì)互斥理論(VSEPR)判斷下列分子或離子的空間構(gòu)型:分子 或離子 SnCl2 CCl4 ClO-4立體構(gòu)型 發(fā)布:2024/12/30 12:30:1組卷:19引用:4難度:0.3