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1311.(1)Cu的一種氯化物晶胞結構如圖1所示(黑球表示銅原子,白球表示氯原子),該氯化物的化學式是
(2)一種四方結構的超導化合物的晶胞如圖2所示,晶胞中Sm和As原子的投影位置如圖3所示。圖中F-和O2-共同占據(jù)晶胞的上下底面位置,若兩者的比例依次用x和1-x代表,則該化合物的化學式表示為
以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標系可以表示晶胞中各原子的位置,稱作原子分數(shù)坐標,例如圖2中原子1的坐標為(,12,12),則原子2和3的坐標分別為12發(fā)布:2024/12/30 12:30:1組卷:25引用:6難度:0.41312.下列說法不正確的是( ?。?/h2>
A.液晶態(tài)介于晶體狀態(tài)和液態(tài)之間,液晶具有一定程度的晶體的有序性和液體的流動性 B.常壓下,0℃時冰的密度比水的密度小,水在4℃時密度最大,這些都與分子間的氫鍵有關 C.乙烯使高錳酸鉀褪色和二氧化硫使溴水褪色的原理不相同 D.燃料的脫硫脫氮、SO2的回收利用和NOx的催化轉化都是減少酸雨產生的措施 發(fā)布:2024/12/30 12:30:1組卷:19引用:2難度:0.71313.已知:①CS2②PCl3③H2S(g)④CH2O⑤H3O+⑥
⑦BF3⑧SO2.請回答下列問題:NH+4
(1)中心原子沒有孤電子對的是
(2)立體構型為直線形的分子或離子有
(3)立體構型為V形的分子或離子有發(fā)布:2024/12/30 12:30:1組卷:23引用:1難度:0.61314.X、Y、Z、M、Q、R是元素周期表前四周期的元素,且原子序數(shù)依次增大,其相關信息如表所示:
元素 相關信息 X 原子核外有6種不同運動狀態(tài)的電子 Y 基態(tài)原子中s電子總數(shù)與p電子總數(shù)相同 Z 形成的氧化物和強酸、強堿都可以反應 M 基態(tài)原子的最外層p軌道上有兩個電子的自旋方向與其他電子的自旋方向相反 Q 前4周期元素原子核外電子排布中未成對電子數(shù)最多的元素 R 基態(tài)原子核外有7個能級上有電子且能量最高的能級上有6個電子
(2)X、Y、Z三種元素的原子半徑由小到大的順序是
(3)M元素基態(tài)原子中能量最高的電子的電子云在空間有
(4)小范同學寫了某基態(tài)原子的兩個價電子的表達式,分析其分別違背了什么原理:
①3s13p4:
②:
(5)元素R可形成R2+和R3+,其中較穩(wěn)定的是R3+,從原子結構角度解釋原因是發(fā)布:2024/12/30 12:30:1組卷:34引用:2難度:0.51315.有下列八種晶體:A.水晶 B.冰醋酸 C.氧化鎂 D.白磷 E.晶體氬 F.氯化銨 G.過氧化鉀 H.金剛石
(1)屬于原子晶體的化合物是
(2)由分子構成的晶體是
(3)受熱熔化化學鍵不發(fā)生變化的是發(fā)布:2024/12/30 12:30:1組卷:29引用:3難度:0.51316.下列分子的VSEPR模型與分子立體結構模型一致的是( )
A.NH3 B.CCl4 C.H2O D.PCl3 發(fā)布:2024/12/30 12:30:1組卷:17引用:5難度:0.91317.下列分子或離子中,中心原子含有孤對電子的是( ?。?/h2>
A. NH+4B.CCl4 C.SiH4 D.H3P 發(fā)布:2024/12/30 12:30:1組卷:18引用:5難度:0.91318.下列說法正確的是( ?。?/h2>
A.六方最密堆積和面心立方最密堆積的原子堆積方式,空間利用率最高 B.分子晶體中,分子間作用力越大,分子越穩(wěn)定 C.熔點:BaO>CaO>NaCl>KCl D.
某晶體的晶胞如圖所示,這種晶體中A、B、C三種粒子個數(shù)之比是1:2:1發(fā)布:2024/12/30 12:30:1組卷:23引用:2難度:0.71319.下列物質所屬晶體類型判斷正確的是( ?。?/h2>
A.冰是共價晶體 B.食鹽是分子晶體 C.純堿為離子晶體 D.二氧化硅為金屬晶體 發(fā)布:2024/12/30 12:30:1組卷:29引用:2難度:0.71320.價層電子對互斥理論(簡稱VSEPR理論)可用于預測簡單分子的立體構型.其要點可以概括為:
Ⅰ.用AXnEm表示只含一個中心原子的分子組成,A為中心原子,X為與中心原子相結合的原子,E為中心原子最外層未參與成鍵的電子對(稱為孤電子對),(n+m)稱為價層電子對數(shù).分子中的價層電子對總是互相排斥,均勻地分布在中心原子周圍的空間;
Ⅱ.分子的空間構型是指分子中的原子在空間的排布,不包括中心原子未成鍵的孤電子對;
Ⅲ.分子中價層電子對之間的斥力主要順序為:
?。码娮訉χg的斥力>孤電子對與共用電子對之間的斥力>共用電子對之間的斥力;ⅱ.雙鍵與雙鍵之間的斥力>雙鍵與單鍵之間的斥力>單鍵與單鍵之間的斥力;ⅲ.X原子得電子能力越弱,A-X形成的共用電子對之間的斥力越強;ⅳ.其他.請仔細閱讀上述材料,回答下列問題:
(1)根據(jù)要點Ⅰ可以畫出AXnEm的VSEPR理想模型,請?zhí)顚懴卤恚?br />n+m 2 VSEPR理想模型 正四面體形 價層電子對
之間的理想鍵角109°28′
(3)用價層電子對互斥理論(VSEPR)判斷下列分子或離子的空間構型:分子 或離子 SnCl2 CCl4 ClO-4立體構型 發(fā)布:2024/12/30 12:30:1組卷:22引用:4難度:0.3
