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1421．圖是從NaCl成CsCl晶體結(jié)構(gòu)中分割出來的部分結(jié)構(gòu)圖，其中屬于從NaCl晶體中分割出來的結(jié)構(gòu)圖是（ ?。?br />
發(fā)布：2024/12/30 11:30:1組卷：113引用：7難度：0.51422．（NH4）2S2O8電化學(xué)循環(huán)氧化法可用于廢水中苯酚的降解，示意圖如圖。
（1）（NH4）2S2O8的電解法制備。
已知：電解效率η的定義為η（B）=×100%。n（生成B所用的電子）n（通過電極的電子）
①電極b是極。
②生成S2的電極反應(yīng)式是O2-8。
③向陽極室和陰極室各加入100mL溶液。制備S2的同時(shí)，還在電極b表面收集到2.5×10-4mol氣體，氣體是O2-8。經(jīng)測(cè)定η（S2）為80%，不考慮其他副反應(yīng)，則制備的（NH4）2S2O8的物質(zhì)的量濃度為O2-8mol/L。
（2）苯酚的降解
已知：?具有強(qiáng)氧化性，F(xiàn)e2+性度較高時(shí)會(huì)導(dǎo)致SO-4?猝滅。S2SO-4可將苯酚氧化為CO2，但反應(yīng)速率較慢。加入Fe2+可加快反應(yīng)，過程為：O2-8
i.S2+Fe2+═O2-8+SO2-4?+Fe3+SO-4
ii.?將苯酚氧化SO-4
①?氧化苯酚的離子方程式是SO-4。
②將電解得到的含S2溶液稀釋后加入苯酚處理器，調(diào)節(jié)溶液總體積為1L，pH=1，測(cè)得在相同時(shí)間內(nèi)，不同條件下苯酚的降解率如圖。O2-8
用等物質(zhì)的量的鐵粉代替FeSO4，可明顯提高苯酚的降解率，主要原因是。
（3）苯酚殘留量的測(cè)定
已知：電解中轉(zhuǎn)移1mol電子所消耗的電量為F庫侖。
取處理后的水樣100mL，酸化后加入KBr溶液，通電。電解產(chǎn)生的Br2全部與苯酚反應(yīng)，當(dāng)苯酚完全反應(yīng)時(shí)，消耗的電量為a庫侖，則樣品中苯酚的含量為g/L。（苯酚的摩爾質(zhì)量：94g/mol）發(fā)布：2024/12/30 11:30:1組卷：140引用：2難度：0.41423．現(xiàn)有幾組物質(zhì)的熔點(diǎn)（℃）數(shù)據(jù)：
據(jù)此回答下列問題：A組 B組 C組 D組 金剛石：＞3 550 Li：181 HF：-84 NaCl：801 硅晶體：1 410 Na：98 HCl：-114 KCl：770 硼晶體：2 300 K：63 HBr：-87 RbCl：715 二氧化硅：1 710 Rb：39 HI：-51 CsCl：645
（1）A組屬于晶體，其熔化時(shí)克服的微粒間的作用力是．
（2）B組晶體共同的物理性質(zhì)是（填序號(hào)）．
①有金屬光澤?、趯?dǎo)電性?、蹖?dǎo)熱性 ④延展性
（3）C組中HF熔點(diǎn)反常是由于．
（4）D組晶體可能具有的性質(zhì)是（填序號(hào)）．
①硬度小 ②水溶液能導(dǎo)電?、酃腆w能導(dǎo)電 ④熔融狀態(tài)能導(dǎo)電
（5）D組晶體的熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)椋篘aCl＞KCl＞RbCl＞CsCl,其原因解釋為：．發(fā)布：2024/12/30 11:30:1組卷：71引用：8難度：0.71424．下列關(guān)于雜化軌道的敘述中，不正確的是（ ?。?/h2>
發(fā)布：2024/12/30 11:30:1組卷：76引用：9難度：0.71425．某元素+2價(jià)離子的電子排布式為[Kr]4d2，該元素在元素周期表中位于（ ）
發(fā)布：2024/12/30 11:30:1組卷：80引用：3難度：0.51426．白醋是烹調(diào)中的酸味輔料，能改善調(diào)節(jié)人體的新陳代謝，其主要成分CH3COOH為一元弱酸。25℃時(shí)，下列有關(guān)說法正確的是（ ）
發(fā)布：2024/12/30 11:30:1組卷：279引用：5難度：0.61427．開發(fā)新型儲(chǔ)氫材料是氫能源利用的重要研究方向之一。請(qǐng)回答以下問題：
（1）Ti（BH4）3是一種儲(chǔ)氫材料，可由TiCl4和LiBH4反應(yīng)制得。
①基態(tài)Ti3+的電子排布式為；LiBH4中Li、B、H 元素的電負(fù)性由大到小的排列順序?yàn)?!--BA-->。
②另有一種含鈦元素的新型材料，其理論結(jié)構(gòu)模型如圖1所示，圖中虛線框內(nèi)碳原子的雜化軌道類型為。
（2）氨硼烷（NH3BH3）是優(yōu)良的儲(chǔ)氫材料，少量氨硼烷可以由硼烷（B2H6）和NH3合成。
①NH3BH3中是否存在配位鍵（填“是”或“否”）；與NH3BH3互為等電子體的分子的化學(xué)式為。
②B、C、N 與O元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->。
③氨硼烷在高溫下釋放氫后生成的立方氮化硼晶體，具有類似金剛石的結(jié)構(gòu)，硬度略小于金剛石。則立方氮化硼晶體可用作（選填下列字母序號(hào)）。
a.切削工具 b.鉆探鉆頭 c.導(dǎo)電材料 d.耐磨材料
（3）一種有儲(chǔ)氫功能的銅合金晶體具有面心立方最密堆積的結(jié)構(gòu)，晶胞中Cu原子處于面心，Au原子處于頂點(diǎn)位置，氫原子可進(jìn)入到由Cu原子與Au原子構(gòu)成的四面體空隙中。
①若將Cu原子與Au原子等同看待，該晶體儲(chǔ)氫后的晶胞結(jié)構(gòu)與CaF2的結(jié)構(gòu)相似，該晶體儲(chǔ)氫后的化學(xué)式為；
②銅與其它許多金屬及其化合物都可以發(fā)生焰色反應(yīng)，其原因是。
（4）金屬氫化物也是具有良好發(fā)展前景的儲(chǔ)氫材料。某儲(chǔ)氫材料是短周期金屬元素R的氫化物。R的部分電離能如下表所示：
①該金屬元素是I1/kJ?mol-1 I2/kJ?mol-1 I3/kJ?mol-1 I4/kJ?mol-1 I5/kJ?mol-1 738 1451 7733 10540 13630 （填元素符號(hào)）。
②若氫化物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示（有4 個(gè)H原子位于面上，其余H原子位于晶胞內(nèi)），已知該晶體的密度為ρg?cm-3，則該晶胞的體積為cm3[用含ρ、NA的代數(shù)式表示（其中NA為阿伏加德羅常數(shù)的值）]。發(fā)布：2024/12/30 11:30:1組卷：128引用：5難度：0.11428．根據(jù)下表給出的幾種物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)數(shù)據(jù)，判斷下列有關(guān)說法中錯(cuò)誤的是（ ?。?br />
NaCl MgCl2 AlCl3 SiCl4 單質(zhì)B 熔點(diǎn)/℃ 810 710 180 68 2300 沸點(diǎn)/℃ 1465 1418 160 57 2500 發(fā)布：2024/12/30 11:30:1組卷：58引用：4難度：0.51429．原子序數(shù)小于36的元素Q和T，在周期表中既處于同一周期又位于同一族，且原子序數(shù)T比Q多2．則T元素的基態(tài)原子外圍電子（價(jià)電子）排布式為
；Q3+離子的核外未成對(duì)電子數(shù)是．發(fā)布：2024/12/30 11:30:1組卷：102引用：4難度：0.51430．CH4、NH3、H2O和HF均為含10e-的分子．
（1）N、O、F三種元素中，與基態(tài)C原子的核外未成對(duì)電子數(shù)相等的元素是（寫元素名稱），其基態(tài)原子的價(jià)層電子排布圖為．
（2）C、N、O、F四種元素第一電離能由大到小的順序是（用元素符號(hào)表示）．
（3）CH4、NH3和H2O分子中，從原子軌道的重疊方向來說，三種分子均含共價(jià)鍵類型為，三種分子的中心原子的雜化軌道類型均為．
（4）CH4燃燒生成CO、CO2和H2O．
①在CO氣流中輕微加熱金屬鎳（Ni），生成無色揮發(fā)性液態(tài)Ni（CO）4，試推測(cè)四羰基鎳的晶體類型為．
②OCN-與CO2互為等電子體，則OCN-結(jié)構(gòu)式為．
（5）與碳同族的硅形成的硅酸鹽結(jié)構(gòu)中的基本結(jié)構(gòu)單元為[SiO4]四面體，由兩個(gè)結(jié)構(gòu)單元通過共用一個(gè)原子形成的硅酸鹽陰離子的化學(xué)式為．發(fā)布：2024/12/30 11:30:1組卷：73引用：3難度：0.1
