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更新:2025年04月27日
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1471.金屬鈉晶體為鉀型(體心立方晶格,如右圖),實(shí)驗(yàn)測得鈉的密度為ρ(g?cm-3).已知鈉的相對原子質(zhì)量為a,阿伏加德羅常數(shù)為NA(mol-1),假定金屬鈉原子為等徑的剛性球且處于體對角線上的三個(gè)球相切.則鈉原子的半徑r(cm)為( ?。?/h2>
發(fā)布:2024/12/30 11:30:1組卷:106引用:9難度:0.91472.關(guān)于[Cr(H2O)4Br2]Br?2H2O的說法正確的是( )
發(fā)布:2024/12/30 11:30:1組卷:80引用:3難度:0.91473.下列說法正確的是( ?。?/h2>
發(fā)布:2024/12/30 11:30:1組卷:61引用:2難度:0.91474.下列分子的立體結(jié)構(gòu),其中屬于直線型分子的是( ?。?/h2>
發(fā)布:2024/12/30 11:30:1組卷:58引用:2難度:0.51475.下列各項(xiàng)所述的數(shù)字不是6的是( ?。?/h2>
發(fā)布:2024/12/30 11:30:1組卷:116引用:30難度:0.71476.下列分子空間結(jié)構(gòu)成V型的是( ?。?/h2>
發(fā)布:2024/12/30 11:30:1組卷:87引用:3難度:0.71477.請按要求填空:
(1)Mg是第3周期元素,該周期部分元素氟化物的熔點(diǎn)見表:氟化物 NaF MgF2 SiF4 熔點(diǎn)/K 1266 1534 183
a.
b.
②硅在一定條件下可以與Cl2反應(yīng)生成SiCl4,試判斷SiCl4的沸點(diǎn)比CCl4的
(2)下列物質(zhì)變化,只與范德華力有關(guān)的是
a.干冰熔化 b.乙酸汽化c。石英熔融 d.HCONHCH3CH3溶于水e。碘溶于四氯化碳
(3)C,N元素形成的新材料具有如圖所示結(jié)構(gòu),該晶體的化學(xué)式為:
(4)FeCl3常溫下為固體,熔點(diǎn)282℃,沸點(diǎn)315℃,在300℃以上升華。易溶于水,也易溶于乙醚、丙酮等有機(jī)溶劑。據(jù)此判斷FeCl3的晶體類型為
(5)氮化碳和氮化硅晶體結(jié)構(gòu)相似,是新型的非金屬高溫陶瓷材料,它們的硬度大,熔點(diǎn)高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定。
①氮化硅的硬度
②下列物質(zhì)熔化時(shí)所克服的微粒間的作用力與氮化硅熔化時(shí)所克服的微粒間的作用力相同的是
a.單質(zhì)I2和晶體硅 b.冰和干冰c。碳化硅和二氧化硅 d.石墨和氧化鎂
③已知氮化硅的晶體結(jié)構(gòu)中,原子間都以單鍵相連,且氮原子與氮原子不直接相連、硅原子與硅原子不直接相連,同時(shí)每個(gè)原子都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),請寫出氮化硅的化學(xué)式
(6)第ⅢA,ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料,其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。在GaN晶體中,每個(gè)Ga原子與發(fā)布:2024/12/30 11:30:1組卷:115引用:2難度:0.41478.碳有多種同素異形體,其中石墨烯與金剛石的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示,下列說法錯(cuò)誤的是( ?。?br />
發(fā)布:2024/12/30 11:30:1組卷:52引用:3難度:0.51479.許多過渡金屬離子對多種配體有很強(qiáng)結(jié)合力,能形成種類繁多的配合物。下列說法錯(cuò)誤的是( ?。?/h2>
發(fā)布:2024/12/30 11:30:1組卷:68引用:5難度:0.71480.根據(jù)以下數(shù)據(jù)提供的信息填空:
組別 ① ② ③ 共價(jià)鍵 C-C C=C C≡C N-N N=N N≡N H-F H-Cl H-Br 鍵長(nm) 0.154 0.134 0.120 0.146 0.120 0.110 0.092 0.127 0.141 鍵能(kJ/mol) 347 612 835 160 415 945 569 432 368
(2)由第①或②組可知,相同元素的原子形成的共價(jià)鍵,鍵數(shù)越多,鍵長越
(3)由第①或②或③組可知,鍵長越長,鍵能越發(fā)布:2024/12/30 11:30:1組卷:91引用:2難度:0.8
