2021-2022學(xué)年江蘇省鎮(zhèn)江市句容高級中學(xué)高二(下)期末物理模擬試卷
發(fā)布:2024/12/13 14:0:2
一、單項(xiàng)選擇題:共10題,每題4分,共40分,每題只有一個選項(xiàng)最符合題意
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1.下列說法正確的是( )
A.液晶像液體一樣具有流動性,其光學(xué)性質(zhì)與某些晶體相似,具有各向同性 B.隨著科技的進(jìn)步,我國絕大部分品牌的沖鋒衣都可實(shí)現(xiàn)面料不沾雨水功能,該功能體現(xiàn)了不浸潤現(xiàn)象 C.用燒熱的針尖接觸涂有蜂蠟薄層的云母片背面,熔化的蜂蠟呈橢圓形,說明蜂蠟是單晶體 D.液體表面張力產(chǎn)生的原因是液體表面層分子受到液體內(nèi)部分子的吸引力作用 組卷:77引用:3難度:0.8 -
2.根據(jù)α粒子散射實(shí)驗(yàn),盧瑟福提出了原子的核式結(jié)構(gòu)模型。如圖所示為α粒子散射圖,圖中實(shí)線表示α粒子的運(yùn)動軌跡。則關(guān)于α粒子散射實(shí)驗(yàn),下列說法正確的是( ?。?/h2>
A.圖中大角度偏轉(zhuǎn)的α粒子的電勢能先減小后增大 B.圖中的α粒子反彈是因?yàn)棣亮W优c原子核發(fā)生了碰撞 C.絕大多數(shù)α粒子沿原方向繼續(xù)前進(jìn)說明了帶正電的原子核占據(jù)原子的空間很小 D.根據(jù)α粒子散射實(shí)驗(yàn),還可以知道原子核由質(zhì)子和中子組成 組卷:124引用:1難度:0.7 -
3.一定質(zhì)量的氧氣分子在溫度T1和T2時,各速率區(qū)間的分子數(shù)占總分子數(shù)的百分比隨氣體分子速率的變化分別如圖所示,已知T1<T2。下列說法正確的是( ?。?/h2>
A.曲線Ⅰ對應(yīng)的氧氣溫度為T2 B.曲線Ⅱ?qū)?yīng)的氧氣分子平均動能較大 C.曲線Ⅱ?qū)?yīng)的氧氣分子動能較小 D.從圖可以得到任意速率區(qū)間的氧氣分子數(shù) 組卷:69引用:1難度:0.7 -
4.如圖所示,用一根粗細(xì)均勻的細(xì)銅導(dǎo)線做成一個半徑為r的閉合圓環(huán),把圓環(huán)的一半置于均勻變化的勻強(qiáng)磁場中,磁場方向始終垂直紙面向里,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小隨時間的變化規(guī)律為B=B0+kt(B0不變,k為一恒量且滿足0<k<1T/s),a、b為圓環(huán)的一條直徑的兩端點(diǎn),圓環(huán)的總電阻為R,則( ?。?/h2>
A.圓環(huán)中產(chǎn)生順時針方向的感應(yīng)電流 B.圓環(huán)具有擴(kuò)張的趨勢 C.a(chǎn)、b兩點(diǎn)間的電勢差 Uab=12kπr2D.在t=0時,右半圓環(huán)受到的安培力大小為 πkB0r3R組卷:117引用:2難度:0.4 -
5.傾角為θ的光滑固定斜面體處于豎直向下的勻強(qiáng)磁場中,在斜面上有一根長為L、質(zhì)量為m的導(dǎo)線,導(dǎo)線與磁場垂直,導(dǎo)線中電流為I,方向如圖所示,導(dǎo)線恰能保持靜止,重力加速度為g。則磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小為( ?。?/h2>
A.B= mgsinθILB.B= mgcosθILC.B= mgtanθILD.B= mgcotθIL組卷:375引用:13難度:0.7
二、非選擇題:共5題,共60分。其中第12題~第15題解答時請寫出必要的文字說明、方程式和重要的演算步驟,只寫出最后答案的不能得分;有數(shù)值計算時,答案中必須明確寫出數(shù)值和單位。
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14.如圖所示,絕緣傳送帶AB固定在豎直平面內(nèi),與水平面間的夾角θ=37°,傳送帶兩端A、B之間的距離L=1.8m,整個空間存在勻強(qiáng)電場,場強(qiáng)大小E=2.0×105N/C,方向垂直傳送帶表面斜向上.現(xiàn)將一質(zhì)量為m=0.5kg、電荷量為q=-2.0×10-5C的小物塊P無初速地放到傳送帶上A處,物塊與傳送帶間的動摩擦因數(shù)μ=0.4,傳送帶以恒定速度沿順時針方向傳動,重力加速度g取10m/s2。
(1)若物塊P從A運(yùn)動到B的時間最短,求傳送帶的速度v至少多大;
(2)若傳送帶的速度v0=1.0m/s,求物塊P從A運(yùn)動到B的過程中摩擦力對物塊所做的功W。組卷:46引用:3難度:0.6 -
15.如圖所示,在無限長的豎直邊界AC和DE間,上、下部分分別充滿方向垂直于平面ADEC向外的勻強(qiáng)磁場,上部分區(qū)域的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B0,OF為上、下磁場的水平分界線,質(zhì)量為m、帶電荷量為+q的粒子從AC邊界上與O點(diǎn)相距為a的P點(diǎn)垂直于AC邊界射入上方磁場區(qū)域,經(jīng)OF上的Q點(diǎn)第一次進(jìn)入下方磁場區(qū)域,Q與O點(diǎn)的距離為3a,不考慮粒子重力。
(1)求粒子射入時的速度大?。?br />(2)要使粒子不從AC邊界飛出,求下方磁場區(qū)域的磁感應(yīng)強(qiáng)度B1應(yīng)滿足的條件;
(3)若下方區(qū)域的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=3B0,粒子最終垂直DE邊界飛出,求邊界DE與AC間距離的可能值。組卷:455引用:11難度:0.3