魯科版高二(下)高考題單元試卷:第1章 原子結(jié)構(gòu)模型(01)
發(fā)布:2024/4/20 14:35:0
一、選擇題(共19小題)
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1.短周期元素甲、乙、丙、丁的原子序數(shù)依次增大,甲和丁的原子核外均有兩個未成對電子,乙、丙、丁最高價氧化物對應(yīng)的水化物兩兩之間能相互反應(yīng).下列說法錯誤的是( ?。?/h2>
A.元素丙的單質(zhì)可用于冶煉金屬 B.甲與丁形成的分子中有非極性分子 C.簡單離子半徑:?。疽遥颈?/label> D.甲與乙形成的化合物均有氧化性 組卷:641引用:18難度:0.9 -
2.如表為元素周期表的一部分,其中X、Y、Z、W為短周期元素,W元素原子的核電荷數(shù)為X元素的2倍。下列說法正確的是( ?。?br />
X Y Z W T A.X、W、Z元素的原子半徑及它們的氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性均依次遞增 B.Y、Z、W元素在自然界中均不能以游離態(tài)存在,它們的最高價氧化物的水化物的酸性依次遞增 C.YX2晶體熔化、液態(tài)WX3氣化均需克服分子間作用力 D.根據(jù)元素周期律,可以推測T元素的單質(zhì)具有半導(dǎo)體特性,T2X3具有氧化性和還原性 組卷:3214引用:46難度:0.5 -
3.甲~庚等元素在周期表中的相對位置如圖,己的最高價氧化物對應(yīng)水化物有強脫水性,甲和丁在同一周期,甲原子最外層與最內(nèi)層具有相同電子數(shù),下列判斷正確的是( ?。?br />
A.丙與戊的原子序數(shù)相差28 B.氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性:庚<己<戊 C.常溫下,甲和乙的單質(zhì)均能與水劇烈反應(yīng) D.丁的最高價氧化物可用于制造光導(dǎo)纖維 組卷:1953引用:23難度:0.7 -
4.下列四種元素中,其單質(zhì)氧化性最強的是( )
A.原子含有未成對電子最多的第二周期元素 B.位于周期表中第三周期ⅢA族的元素 C.原子最外電子層排布為2s22p6的元素 D.原子最外電子層排布為3s23P5的元素 組卷:222引用:23難度:0.9 -
5.下列分子中所有原子都滿足最外層為8電子結(jié)構(gòu)的是( ?。?/h2>
A.SiCl4 B.H2O C.BF3 D.PCl5 組卷:89引用:87難度:0.9 -
6.下列有關(guān)物質(zhì)性質(zhì)的說法錯誤的是( )
A.熱穩(wěn)定性:HCl>HI B.原子半徑:Na>Mg C.酸性:H2SO3>H2SO4 D.結(jié)合質(zhì)子能力:S2->Cl- 組卷:1770引用:33難度:0.9 -
7.原子核外的M電子層和L電子層最多可容納的電子數(shù)( )
A.大于 B.小于 C.等于 D.不能肯定 組卷:120引用:12難度:0.9 -
8.四種短周期元素在周期表中的位置如圖,其中只有M為金屬元素。下列說法不正確的是( ?。?/h2>
A.原子半徑Z<M B.Y的最高價氧化物對應(yīng)水化物的酸性比X的弱 C.X的最簡單氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性比Z的小 D.Z位于元素周期表中第2周期第ⅥA族 組卷:522引用:76難度:0.9 -
9.X,Y,Z均為短周期元素,X,Y處于同一周期,X,Z的最低價離子分別為X2-和Z-,Y+和Z-具有相同的電子層結(jié)構(gòu)。下列說法正確的是( ?。?/h2>
A.原子最外層電子數(shù):X>Y>Z B.單質(zhì)沸點:X>Y>Z C.離子半徑:X2->Y+>Z- D.原子序數(shù):X>Y>Z 組卷:1851引用:68難度:0.7 -
10.X、Y、Z為短周期元素,這些元素原子的最外層電子數(shù)分別是1、4、6.則由這三種元素組成的化合物的化學(xué)式不可能是( )
A.XYZ B.X2YZ C.X2YZ2 D.X2YZ3 組卷:272引用:16難度:0.7
三、解答題(共8小題)
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29.元素單質(zhì)及其化合物有廣泛用途,請根據(jù)周期表中第三周期元素相關(guān)知識回答下列問題:
(1)按原子序數(shù)遞增的順序(稀有氣體除外),下列說法正確的是
a.原子半徑和離子半徑均減??; b.金屬性減弱,非金屬性增強;
c.氧化物對應(yīng)的水化物堿性減弱,酸性增強; d.單質(zhì)的熔點降低.
(2)原子最外層電子數(shù)與次外層電子數(shù)相同的元素名稱為
(3)已知:
工業(yè)制鎂時,電解MgCl2而不電解MgO的原因是化合物 MgO Al2O3 MgCl2 AlCl3 類型 離子化合物 離子化合物 離子化合物 共價化合物 熔點/℃ 2800 2050 714 191
制鋁時,電解Al2O3而不電解AlCl3的原因是
(4)晶體硅(熔點1410℃)是良好的半導(dǎo)體材料,由粗硅制純硅過程如下:
Si(粗)SiCl4Cl2460℃SiCl4(純)蒸餾Si(純)H21100℃
寫出SiCl4的電子式:
(5)P2O5是非氧化性干燥劑,下列氣體不能用濃硫酸干燥,可用P2O5干燥的是
a.NH3 b.HI c.SO2 d.CO2
(6)KClO3可用于實驗室制O2,若不加催化劑,400℃時分解只生成兩種鹽,其中一種是無氧酸鹽,另一種鹽的陰陽離子個數(shù)比為1:1,寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式:組卷:1832引用:29難度:0.5 -
30.鹵族元素包括F、Cl、Br等.
(1)下面曲線表示鹵族元素某種性質(zhì)隨核電荷數(shù)的變化趨勢,正確的是
(2)利用“鹵化硼法”可合成含B和N兩種元素的功能陶瓷,如圖為其晶胞結(jié)構(gòu)示意圖,則每個晶胞中含有B原子的個數(shù)為
(3)BCl3和NCl3中心原子的雜化方式分別為
(4)若BCl3與XYn通過B原子與X原子間的配位鍵結(jié)合形成配合物,則該配合物中提供孤對電子的原子是組卷:431引用:14難度:0.5