2022-2023學(xué)年福建省三明一中高二（上）第一次月考物理試卷

一、單項(xiàng)選擇題（共8小題，每小題3分，共24分。在每一小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中只有一項(xiàng)是正確的）

• 1．下列說法中正確的是（　?。?/h2>

  A．點(diǎn)電荷就是體積很小的帶電體

  B．電場強(qiáng)度反映了電場力的性質(zhì)，所以電場中某點(diǎn)的電場強(qiáng)度與試探電荷在該點(diǎn)所受的電場力成正比

  C．處于靜電平衡的導(dǎo)體，內(nèi)部場強(qiáng)處處為零，導(dǎo)體的表面是等勢面

  D．標(biāo)準(zhǔn)電阻一般用電阻率隨溫度變化而顯著變化的金屬材料制作
  組卷：35引用：3難度：0.7

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• 2．下列四幅圖描述的場景依次為雷電擊中避雷針（圖甲）、高壓輸電線上方還有兩條與大地相連的導(dǎo)線（圖乙）、燃?xì)庠钪械尼樇鉅铧c(diǎn)火器（圖丙）、工人穿戴著含金屬絲制成的工作服進(jìn)行超高壓帶電作業(yè)（圖?。?，關(guān)于這四幅圖所涉及的物理知識，下列說法正確的是（　　）
  

  A．圖甲中避雷針的工作原理主要是靜電屏蔽

  B．圖丙中的點(diǎn)火器是利用摩擦起電的原理進(jìn)行點(diǎn)火的

  C．圖丙中的點(diǎn)火器的工作原理和圖丁中工作服內(nèi)摻入的金屬絲的工作原理是相同的

  D．圖乙中與大地相連的兩條導(dǎo)線所起的作用和圖丁中工作服內(nèi)金屬絲所起的作用是相同的
  組卷：112引用：3難度：0.8

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• 3．有一個(gè)長方體型的金屬電阻，材料分布均勻，邊長分別為a、b、c,且a＞b＞c.電流沿以下方向流過該金屬電阻，其中電阻值最小的是（　　）

  A．

  B．

  C．

  D．
  組卷：284引用：11難度：0.4

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• 4．人體的細(xì)胞膜模型圖如圖a所示，由磷脂雙分子層組成，雙分子層之間存在電壓（醫(yī)學(xué)上稱為膜電位）?，F(xiàn)研究某小塊均勻的細(xì)胞膜，厚度為d,膜內(nèi)的電場可看作勻強(qiáng)電場，簡化模型如圖b所示，初速度可視為零的一價(jià)負(fù)氯離子僅在電場力的作用下，從圖中的A點(diǎn)運(yùn)動到B點(diǎn)，下列說法正確的是（　?。?br />

  A．A點(diǎn)電勢大于B點(diǎn)電勢

  B．氯離子的電勢能將減小

  C．若僅增大細(xì)胞膜的膜電位增大，氯離子進(jìn)入細(xì)胞內(nèi)的速度減小

  D．若僅減小細(xì)胞膜的厚度d,氯離子進(jìn)入細(xì)胞內(nèi)的速度將會變大
  組卷：54引用：3難度：0.5

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• 5．如圖所示，一帶正電的點(diǎn)電荷固定于O點(diǎn)，兩虛線圓均以O(shè)為圓心，兩實(shí)線分別為帶電粒子M和N先后在電場中運(yùn)動的軌跡，a、b、c、d、e為軌跡和虛線圓的交點(diǎn)，不計(jì)重力，下列說法正確的是（　?。?/h2>

  A．M帶正電荷，N帶負(fù)電荷

  B．M在b點(diǎn)的動能大于它在a點(diǎn)的動能

  C．N在d點(diǎn)的電勢能大于它在e點(diǎn)的電勢能

  D．N在從c點(diǎn)運(yùn)動到d點(diǎn)的過程中，電場力做正功
  組卷：83引用：1難度：0.5

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• 6．如圖甲所示，M、N為正對豎直放置的平行金屬板，A、B為兩板中線上的兩點(diǎn)。當(dāng)M、N板間不加電壓時(shí)，一帶電小球從A點(diǎn)由靜止釋放，經(jīng)時(shí)間T到達(dá)B點(diǎn)，此時(shí)速度為υ．若在兩板間加上如圖乙所示的交變電壓，t=0時(shí)，將帶電小球仍從A點(diǎn)由靜止釋放，小球運(yùn)動過程中始終未接觸極板，則t=T時(shí)，小球（　?。?/h2>

  A．在B點(diǎn)上方	B．恰好到達(dá)B點(diǎn)
  C．速度大于v	D．速度小于v
  組卷：503引用：5難度：0.5

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四、計(jì)算題（本題共3小題，共36分。解答各小題時(shí)，應(yīng)寫出必要的文字說明、表達(dá)式和重要步驟，只寫出最后答案的不得分。有數(shù)值計(jì)算的題，答案中必須明確數(shù)值和單位）

• 18．如圖所示，在豎直平面內(nèi)有方向水平向右的勻強(qiáng)電場，有一根長L=2m的絕緣細(xì)線，一端固定在O點(diǎn)，另一端系一質(zhì)量m=0.32kg、電量q=+8.0×10^-5C的小球，小球靜止時(shí)輕繩與豎直方向成37°角?，F(xiàn)使小球獲得某一初動能，恰好能讓小球繞O點(diǎn)在豎直平面內(nèi)做圓周運(yùn)動。取小球在靜止時(shí)的位置為電勢能零點(diǎn)和重力勢能零點(diǎn)，g取10m/s²，求：
  （1）勻強(qiáng)電場的場強(qiáng)E；
  （2）小球的初動能E_k0；
  （3）求小球在圓周運(yùn)動過程中電勢能與重力勢能之和的最大值？
  組卷：51引用：2難度：0.4

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• 19．光刻機(jī)是半導(dǎo)體行業(yè)中重中之重的利器，我國上海微電子裝備公司（SMEE）在這一領(lǐng)域的技術(shù)近年取得了突破性進(jìn)展。電子束光刻技術(shù)原理簡化如圖所示，電子槍發(fā)射的電子經(jīng)過成型孔后形成電子束，通過束偏移器后對光刻膠進(jìn)行曝光。某型號光刻機(jī)的束偏移器長L=0.04m,間距也為L，兩極間有掃描電壓，其軸線垂直晶圓上某芯片表面并過中心O點(diǎn)，芯片到束偏移器下端的距離為

  L

  2

  。若進(jìn)入束偏移器時(shí)電子束形成的電流大小為I=2×10^-8A，單個(gè)電子的初動能為E_k0=1.6×10^-14J，不計(jì)電子重力及電子間的相互作用力，忽略其他因素的影響，電子到達(dá)芯片即被吸收。
  （1）若掃描電壓為零，電子束在束偏移器中做何種運(yùn)動？電子束到達(dá)芯片時(shí)的落點(diǎn)位置？
  （2）若掃描電壓為零，且It=Ne（N為電子個(gè)數(shù)），求O點(diǎn)每秒接收的能量E？（e=1.6×10^-19C）
  （3）若某時(shí)刻掃描電壓為15kV，則電子束到達(dá)芯片時(shí)的位置離O點(diǎn)的距離為多少？
  組卷：36引用：2難度：0.6

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