2020-2021學(xué)年山西省陽泉市高三（上）期末化學(xué)試卷
發(fā)布：2024/4/20 14:35:0
一、選擇題（共7小題，每小題6分，滿分42分）
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1．化學(xué)與生產(chǎn)、生活及社會發(fā)展密切相關(guān)，下列說法正確的是（ ?。?/h2>
組卷：36引用：4難度：0.7 -
2．下列關(guān)于有機物的說法正確的是（ ?。?/h2>
組卷：110引用：1難度：0.8 -
3．我國科技工作者提出的一種OER（氧氣析出反應(yīng)）機理如圖所示，下列說法錯誤的是（ ?。?/h2>組卷：86引用：3難度：0.7 -
4．由下列實驗及現(xiàn)象不能推出相應(yīng)結(jié)論的是（ ）
實驗 現(xiàn)象 結(jié)論 A 向氯水中加入碳酸鈣粉末 有氣體生成 酸性：HClO＞H2CO3 B 將金屬鈉在燃燒匙中點燃，迅速伸入集滿CO2的集氣瓶 集氣瓶中產(chǎn)生大量白煙，瓶內(nèi)有黑色顆粒產(chǎn)生 CO2具有氧化性 C 向2mL 0.1mol/L FeCl3的溶液中加足量鐵粉，振蕩，加1滴KSCN溶液 黃色逐漸消失，加KSCN溶液顏色不變 還原性：Fe＞Fe2+ D 向2支盛有2mL相同濃度銀氨溶液的試管中分別加入2滴相同濃度的NaCl和NaI溶液 一支試管中產(chǎn)生黃色沉淀，另一支中無明顯現(xiàn)象 Ksp（AgI）＜Ksp（AgCl） 組卷：15引用：1難度：0.5
《物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》（共1小題，滿分15分）
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11．鍺（Ge）是典型的半導(dǎo)體元素，在電子、材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為[Ar]，有種不同運動狀態(tài)的電子。
（2）Ge與C是同族元素，C原子之間可以形成雙鍵、三鍵，但Ge原子之間難以形成雙鍵或三鍵。從原子結(jié)構(gòu)角度分析，原因是。
（3）如表所示，GeCl4、GeBr4、GeI4的熔沸點依次升高，原因。
（4）催化還原CO2制備CH4反應(yīng)中，帶狀納米Zn2GeO4是該反應(yīng)的良好催化劑。Zn位于周期表GeCl4 GeBr4 GeI4 熔點/C -49.5 26 146 沸點/C 83.1 186 約400 區(qū)，Zn、Ge、O電負(fù)性由大至小的順序是。
（5）Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，其中Ge原子的雜化方式為，微粒之間存在的作用力是。
（6）晶胞有兩個基本要素：
①原子坐標(biāo)參數(shù)，表示晶胞內(nèi)部各原子的相對位置，如圖為Ge單晶的晶胞，其中原子坐標(biāo)參數(shù)A為（0，0，0）；B為（，0，12）；C為（12，12，0）。則D原子的坐標(biāo)參數(shù)為12。
②晶胞參數(shù)，描述晶胞的大小和形狀，已知Ge單晶的晶胞參數(shù)a=565.76pm,其密度為g?cm-3。（阿伏加德羅常數(shù)的值用NA表示。列出計算式即可）組卷：28引用：1難度：0.5
《有機化學(xué)基礎(chǔ)》（共1小題，滿分0分）
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12．高聚物H可用于光刻工藝中，作抗腐蝕涂層。下列是高聚物H的一種合成路線。
已知：①RCHO+R1CH2COOH催化劑，350℃
+H2O；
②由B生成C的反應(yīng)屬于加聚反應(yīng)；
③D屬于高分子化合物。
請回答下列問題：
（1）A的化學(xué)名稱為；B中含氧官能團的名稱是。
（2）上述反應(yīng)中屬于取代反應(yīng)的是。（填反應(yīng)序號）
（3）反應(yīng)⑧的化學(xué)方程式為。
（4）H的結(jié)構(gòu)簡式為。
（5）只有一種官能團的芳香化合物W是G的同分異構(gòu)體，W能發(fā)生銀鏡反應(yīng)，其可能結(jié)構(gòu)有種；其中核磁共振氫譜為四組峰，峰面積比為3：2：2：1的同分異構(gòu)體的結(jié)構(gòu)簡式為。
（6）請設(shè)計由對二甲苯和乙酸為原料制備
的合成路線 。（參照上述合成路線，無機試劑任選）組卷：30引用：1難度：0.3