2022-2023學(xué)年廣東省廣州市越秀區(qū)執(zhí)信中學(xué)高二（下）期末物理試卷

一、單項(xiàng)選擇題（本題共7小題，每小題4分，共28分．每小題只有一個(gè)選項(xiàng)符合題目要求．）

• 1．對(duì)于以下各圖的說明，正確的是（　?。?br />

  A．甲圖為油膜法估算分子直徑的實(shí)驗(yàn)圖，為了減小誤差，實(shí)驗(yàn)中應(yīng)使用純油酸

  B．乙圖為模擬氣體壓強(qiáng)產(chǎn)生機(jī)理實(shí)驗(yàn)圖，說明氣體壓強(qiáng)是由氣體分子對(duì)器壁頻繁碰撞產(chǎn)生的

  C．丙圖是把毛細(xì)管插入水銀中的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象，說明水銀對(duì)玻璃是浸潤(rùn)液體

  D．圖丁為立體電影的圖片，其原理和照相機(jī)鏡頭表面涂上增透膜的原理是相同的
  組卷：82引用：2難度：0.6

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• 2．下列四幅圖涉及到不同的物理知識(shí)，其中說法正確的是（　?。?br />

  A．圖1是電子衍射實(shí)驗(yàn)，電子的衍射說明了電子具有粒子性，說明物質(zhì)波理論是正確的

  B．圖2是α粒子散射實(shí)驗(yàn)示意圖，由α粒子散射實(shí)驗(yàn)可估算原子核半徑的數(shù)量級(jí)

  C．圖3是研究某種金屬的光電效應(yīng)規(guī)律所得相關(guān)圖像，由圖可知，入射光2的頻率大于入射光1的頻率

  D．圖4放射源能放出α、β、γ三種射線，兩塊平行放置的金屬板A、B分別與電源的兩極連接。到達(dá)B板的射線電離本領(lǐng)最強(qiáng)，可以用于治療腫瘤
  組卷：96引用：2難度：0.5

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• 3．下列說法正確的是（　　）

  A．研制核武器的钚239（ 239 94 Pu）是由鈾239（ 239 92 U）經(jīng)過2次β衰變而產(chǎn)生

  B．太陽輻射能量的主要來源是太陽中發(fā)生的重核裂變

  C．20g的 235 92 U經(jīng)過兩個(gè)半衰期后，質(zhì)量變?yōu)?5g

  D． 238 92 U在中子轟擊下，生成Sr和Xe的核反應(yīng)前后，原子核的核子總數(shù)減少
  組卷：102引用：4難度：0.5

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• 4．如圖所示，房頂上固定一根長(zhǎng)2m的細(xì)線沿豎直墻壁垂到窗沿下，細(xì)線下端系了一個(gè)小球（可視為質(zhì)點(diǎn)）。打開窗子，讓小球在垂直于窗子的豎直平面內(nèi)小幅度擺動(dòng)，A點(diǎn)是小球擺動(dòng)的最左端，B點(diǎn)是小球擺動(dòng)的最右端，O點(diǎn)是小球擺動(dòng)的平衡位置。不計(jì)空氣阻力，小球從A點(diǎn)到O點(diǎn)所用的最短時(shí)間為t_AO，小球從B點(diǎn)到所O點(diǎn)所用的最短時(shí)間為t_BO，

  t

  AO

  =

  1

  2

  t

  BO

  ，窗上沿到房頂?shù)母叨葹椋ā　。?/h2>

  A．1.6m

  B．1.5m

  C．1.2m

  D．1.4m
  組卷：151引用：2難度：0.7

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• 5．為營(yíng)造公平公正的高考環(huán)境，“反作弊”工具金屬探測(cè)儀被廣為使用。某興趣小組設(shè)計(jì)了一款金屬探測(cè)儀，如圖所示，探測(cè)儀內(nèi)部的線圈與電容器構(gòu)成LC振蕩電路，當(dāng)探測(cè)儀檢測(cè)到金屬物體時(shí)，探測(cè)儀的蜂鳴器發(fā)出聲響。已知某時(shí)刻，探測(cè)儀中電路里的電流的方向由b流向a,且電流強(qiáng)度正在增加過程中，則（　?。?/h2>

  A．該時(shí)刻電容器上極板帶正電荷

  B．探測(cè)儀靠近金屬時(shí)，金屬被磁化

  C．該時(shí)刻線圈的自感電動(dòng)勢(shì)正在增大

  D．若探測(cè)儀與金屬保持相對(duì)靜止，則金屬中不會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電流
  組卷：46引用：2難度：0.6

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四、計(jì)算題（3小題，共39分．解答應(yīng)寫出必要的文字說明．方程式和重要的演算步驟．只寫出最后答案的不能得分．有數(shù)值計(jì)算的題，答案中必須明確寫出數(shù)值和單位．）

• 14．如圖，間距為L(zhǎng)的兩平行金屬導(dǎo)軌右端接有電阻R，固定在離地高為H的平面上，空間存在著方向豎直向下、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。質(zhì)量為m的金屬桿ab垂直導(dǎo)軌放置，桿獲得一個(gè)大小為v₀的水平初速度后向左運(yùn)動(dòng)并離開導(dǎo)軌，其落地點(diǎn)距導(dǎo)軌左端的水平距離為s。已知重力加速度為g,忽略一切摩擦，桿和導(dǎo)軌電阻不計(jì)。求：
  （1）桿即將離開軌道時(shí)的加速度大小a；
  （2）桿穿過勻強(qiáng)磁場(chǎng)的過程中，克服安培力做的功W，以及流過電阻的電荷量q。
  組卷：53引用：2難度：0.5

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• 15．在芯片制造過程中，離子注入是其中一道重要的工序．如圖所示是一部分離子注入工作原理示意圖，離子經(jīng)加速后沿水平方向進(jìn)入速度選擇器，選擇出一定速度的離子，然后通過磁分析器Ⅰ，選擇出特定比荷的離子，經(jīng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)Ⅱ后注入水平放置的硅片上．速度選擇器、磁分析器中的勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B，方向均垂直紙面向外；速度選擇器中的勻強(qiáng)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)大小為E，方向豎直向上．磁分析器截面是矩形，矩形長(zhǎng)為2L，寬為

  （

  4

  -

  2

  3

  ）

  L

  ．其寬和長(zhǎng)中心位置C和D處各有一個(gè)小孔；半徑為L(zhǎng)的圓形偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)Ⅱ內(nèi)存在垂直紙面向外，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小可調(diào)的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，D、M、N在一條豎直線上，DM為圓形偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的直徑，最低點(diǎn)M到硅片的距離MN=

  L

  2

  ，不計(jì)離子重力。
  
  （1）求離子通過速度選擇器后的速度大??；
  （2）求磁分析器選擇出來的離子的比荷；
  （3）若偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小的取值范圍

  2

  3

  3

  B

  ≤

  B

  偏

  ≤

  3

  B，求硅片上離子注入的寬度．
  組卷：415引用：5難度：0.2

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