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魯科版選修3《3.3 物質(zhì)結(jié)構(gòu)》2011年同步練習(xí)卷

發(fā)布:2024/4/20 14:35:0

一、選擇題(共5小題,每小題3分,滿分15分)

  • 1.下列化學(xué)式能真實(shí)表示物質(zhì)分子組成的是(  )

    組卷:272引用:18難度:0.9
  • 2.bXn-aYm+兩離子的電子層結(jié)構(gòu)相同,則a等于( ?。?/h2>

    組卷:546引用:14難度:0.7

二、填空題(共3小題,每小題3分,滿分9分)

  • 7.現(xiàn)有部分前四周期元素的性質(zhì)或原子結(jié)構(gòu)如下表:
    元素編號(hào) 元素性質(zhì)或原子結(jié)構(gòu)
    A 第三周期中的半導(dǎo)體材料
    B L層s電子數(shù)比p電子數(shù)少1
    C 屬于第二周期,原子中有2個(gè)未成對(duì)電子
    D 前四周期呀中其未成對(duì)電子數(shù)最多
    (1)B單質(zhì)分子中,含有
     
    個(gè)σ鍵和
     
    個(gè)π鍵,元素B的氣態(tài)氫化物的空間型為
     

    (2)若C是固體,C單質(zhì)的熔點(diǎn)
     
    A單質(zhì)的熔點(diǎn)(填“高于”或“低于”),若C的單質(zhì)是氣體,A與C形成的化合的晶體類型是
     

    (3)寫出元素D基態(tài)原子的電子排布式:
     

    組卷:3引用:2難度:0.1
  • 8.(化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì))C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位.
    (1)寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式
     

    從電負(fù)性角度分析,C、Si和O元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)?!--BA-->
     

    (2)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似,其中C原子的雜化方式為
     
    ,微粒間存在的作用力是
     

    (3)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等,則M為
     
    (填元素符號(hào)).MO是優(yōu)良的耐高溫材料,其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似.MO的熔點(diǎn)比CaO的高,其原因是
     

    (4)C、Si為同一主族的元素,CO2和SiO2化學(xué)式相似,但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同.CO2中C與O原子間形成σ鍵和π鍵,SiO2中Si與O原子間不形成上述π鍵.從原子半徑大小的角度分析,為何C、O原子間能形成,而Si、O原子間不能形成上述π鍵
     

    組卷:482引用:7難度:0.3
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