2021-2022學(xué)年福建省三明市教研聯(lián)盟校高二（下）期中物理試卷
發(fā)布：2024/4/20 14:35:0
一、單項(xiàng)選擇題：（本題共8小題，每小題4分，共32分．在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，只有一項(xiàng)是符合題目要求的．）
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1．如圖所示的平面內(nèi)，光束a經(jīng)圓心O射入半圓形玻璃磚，出射光為b、c兩束單色光．下列說法正確的是（ ?。?/h2>組卷：138引用：2難度：0.4 -
2．無線話筒是LC振蕩電路的一個(gè)典型應(yīng)用．在LC振蕩電路中，某時(shí)刻磁場方向、電場方向如圖所示，下列說法正確的是（ ）組卷：146引用：6難度：0.7 -
3．如圖所示為一交流電通過一電子元件后的波形圖，曲線部分為正弦式交流電電流的一部分，則下列說法正確的是（ ?。?/h2>組卷：36引用：1難度：0.6 -
4．質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒MN靜止于寬度為L的水平平行導(dǎo)軌上，MN與導(dǎo)軌垂直，通過MN的電流為I，勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，方向與導(dǎo)軌平面成θ角斜向下，且與MN垂直，如圖所示，導(dǎo)體棒MN處于勻強(qiáng)磁場中，重力加速度為g,則導(dǎo)體棒MN受到的（ ?。?/h2>組卷：346引用：7難度：0.7 -
5．劈尖干涉是一種薄膜干涉．如圖甲所示，將一塊平板玻璃a放置在另一平板玻璃b上，在一端夾入兩張紙片，當(dāng)單色光從上方入射后，從上往下可以看到干涉條紋．則（ ?。?/h2>組卷：211引用：1難度：0.4 -
6．在圖示電路中，電阻R和線圈L的阻值相同，L1和L2是兩個(gè)完全相同的燈泡，線圈電感足夠大且線圈L的阻值小于燈泡阻值．下列說法正確的是（ ?。?/h2>組卷：43引用：2難度：0.9
四．計(jì)算題（本題共3小題，共31分）
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19．如圖所示，兩根足夠長的平行粗糙金屬導(dǎo)軌MN、PQ間距L=1m,其電阻不計(jì)，兩導(dǎo)軌及其構(gòu)成的平面均與水平面成θ=30°角，N、Q兩端接有R=1Ω的電阻．一金屬棒ab垂直導(dǎo)軌放置，ab兩端與導(dǎo)軌始終有良好接觸，已知ab的質(zhì)量m=0.1kg,電阻r=1Ω，金屬導(dǎo)軌摩擦因數(shù)μ=，整個(gè)裝置處在垂直于導(dǎo)軌平面向上的勻強(qiáng)磁場中，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B=2T．a(chǎn)b在平行于導(dǎo)軌向上的拉力作用下，以初速度v1=0.5m/s沿導(dǎo)軌向上開始運(yùn)動(dòng)，可達(dá)到最大速度v=2m/s.運(yùn)動(dòng)過程中拉力的功率恒定不變，重力加速度g=10m/s2．33
（1）求最大速度v=2m/s時(shí)拉力的大小及拉力的功率P；
（2）ab開始運(yùn)動(dòng)后，經(jīng)t=0.09s速度達(dá)到v2=1.5m/s,此過程中ab克服安培力做功W=0.2J，求該過程中ab沿導(dǎo)軌的位移大小x。組卷：62引用：1難度：0.5 -
20．在芯片制造過程中，離子注入是其中一道重要的工序．如圖所示是一部分離子注入工作原理示意圖，離子經(jīng)加速后沿水平方向進(jìn)入速度選擇器，選擇出一定速度的離子，然后通過磁分析器Ⅰ，選擇出特定比荷的離子，經(jīng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)Ⅱ后注入水平放置的硅片上．速度選擇器、磁分析器中的勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B，方向均垂直紙面向外；速度選擇器中的勻強(qiáng)電場場強(qiáng)大小為E，方向豎直向上．磁分析器截面是矩形，矩形長為2L，寬為
．其寬和長中心位置C和D處各有一個(gè)小孔；半徑為L的圓形偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)Ⅱ內(nèi)存在垂直紙面向外，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小可調(diào)的勻強(qiáng)磁場，D、M、N在一條豎直線上，DM為圓形偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的直徑，最低點(diǎn)M到硅片的距離MN=（4-23）L，不計(jì)離子重力。L2
（1）求離子通過速度選擇器后的速度大??；
（2）求磁分析器選擇出來的離子的比荷；
（3）若偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小的取值范圍B，求硅片上離子注入的寬度．233B≤B偏≤3組卷：417引用：5難度：0.2