2021年四川省遂寧市射洪中學(xué)高考化學(xué)模擬試卷（六）
發(fā)布：2024/10/28 12:30:2
一、選擇題：本題共7小題，每小題6分。在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，第1～7題只有一項(xiàng)符合題目要求。全部選對(duì)的得6分，選對(duì)但不全的得3分，有選錯(cuò)或不答的得0分。
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1．化學(xué)與生活密切相關(guān)，下列說法錯(cuò)誤的是（ ?。?/h2>
組卷：96引用：2難度：0.8 -
2．NA代表阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法正確的是（ ?。?/h2>
組卷：64引用：2難度：0.8 -
3．下列對(duì)有機(jī)物的描述正確的是（ ?。?/h2>
組卷：101引用：2難度：0.7 -
4．短周期元素X、Y、Z、W原子序數(shù)依次增加，其中只有Z為金屬元素，X、W為同一主族元素，X元素原子的L層電子是K層的兩倍；點(diǎn)燃條件下，Z的單質(zhì)在 X與Y形成的最高價(jià)化合物甲中能發(fā)生反應(yīng)生成化合物乙和X的單質(zhì)。下列判斷錯(cuò)誤的是（ ?。?/h2>
組卷：41引用：2難度：0.6
（二）選考題：共15分。請(qǐng)考生從2道化學(xué)題中任選一題作答。如果多做，則按所做的第一題計(jì)分?！净瘜W(xué)一選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
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11．第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常稱為高溫半導(dǎo)體材料?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)Ga原子價(jià)層電子的軌道表達(dá)式為，第一電離能介于N和B之間的第二周期元素有種。
（2）HCN分子中σ鍵與π鍵的數(shù)目之比為，其中σ鍵的對(duì)稱方式為。與CN-互為等電子體的分子為。
（3）NaN3是汽車安全氣囊中的主要化學(xué)成分，其中陰離子中心原子的雜化軌道類型為。NF3的空間構(gòu)型為。
（4）GaN、GaP、GaAs都是很好的半導(dǎo)體材料，晶體類型與晶體硅類似，熔點(diǎn)如下表所示，分析其變化原因。
（5）GaN晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示。已知六棱柱底邊邊長為a cm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。GaN GaP GaAs 熔點(diǎn) 1700℃ 1480℃ 1238℃
①晶胞中Ga原子采用六方最密堆積方式，每個(gè)Ga原子周圍距離最近的Ga原子數(shù)目為；
②GaN的密度為g?cm-3（用a、NA表示）。
組卷：90引用：3難度：0.3
【化學(xué)一選修5：有機(jī)化學(xué)基礎(chǔ)】
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12．某化合物H的合成路線如下：
已知CH≡CH在NaNH2液氨條件下可生成CH≡CNa或NaC≡CNa
（1）A的化學(xué)名稱是，B→C的反應(yīng)類型是
（2）D→E的反應(yīng)試劑、條件是，F(xiàn)中不含氧官能團(tuán)名稱是
（3）H的分子式是
（4）F→G的化學(xué)方程式是
（5）W是E的同系物，比E少一個(gè)碳原子，則符合下列條件的W的同分異構(gòu)體的結(jié)構(gòu)簡式是（寫一種）
①有兩種官能團(tuán)
②遇FeCl3溶液顯紫色
③核磁共振氫譜有五組峰，峰面積之比是3：2：2：2：1
（6）依據(jù)上述題目信息，寫出用乙醛和乙炔為原料，制備化合物
的合成路線（無機(jī)試劑任選）。組卷：19引用：2難度：0.5