2021-2022學(xué)年江蘇省鹽城市亭湖高級中學(xué)、建湖高級中學(xué)等八校高二(下)期中物理試卷
發(fā)布:2024/12/18 16:0:2
一、單項選擇題:本題共12小題,每小題4分,共48分。每個題目只有一個選項符合要求。
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1.關(guān)于電磁波及其應(yīng)用,下列說法不正確的是( ?。?/h2>
A.紫外線能使很多物質(zhì)發(fā)出熒光,具有殺菌作用 B.雷達(dá)是通過發(fā)射和接收無線電波來判斷遠(yuǎn)處物體的方位 C.β射線有較強的穿透能力,是一種電磁波 D.γ射線的穿透力很強,在工業(yè)中可用來探傷或流水線的自動控制 組卷:140引用:4難度:0.7 -
2.在一定溫度下,當(dāng)氣體的體積增大時,氣體的壓強減小,這是( ?。?/h2>
A.氣體分子的密度變小,單位體積內(nèi)分子的質(zhì)量變小 B.氣體分子密度變大,分子對器壁的吸引力變小 C.每個氣體分子對器壁的平均撞擊力變小 D.單位體積內(nèi)的分子數(shù)減小,單位時間內(nèi)對器壁碰撞的次數(shù)減小 組卷:429引用:7難度:0.8 -
3.安培曾做過如圖所示的實驗:把絕緣導(dǎo)線繞制成線圈,在線圈內(nèi)部懸掛一個用薄銅片做成的圓環(huán),圓環(huán)所在平面與線圈軸線垂直,取一條形磁鐵置于銅環(huán)的右側(cè),條形磁鐵的右端為N極。閉合開關(guān),電路穩(wěn)定后,發(fā)現(xiàn)銅環(huán)靜止不動,安培由此錯失發(fā)現(xiàn)電磁感應(yīng)現(xiàn)象的機會。實際上,在電路閉合的瞬間( ?。?/h2>
A.從右側(cè)看,銅環(huán)中有逆時針的感應(yīng)電流 B.從右側(cè)看,銅環(huán)中有順時針的感應(yīng)電流 C.銅環(huán)仍保持不動 D.銅環(huán)會遠(yuǎn)離磁鐵 組卷:307引用:4難度:0.8 -
4.在勻強磁場中,一矩形金屬線框繞與磁感線垂直的轉(zhuǎn)軸勻速轉(zhuǎn)動,如圖甲所示。產(chǎn)生的交變電動勢隨時間變化的規(guī)律如圖乙所示。則下列說法正確的是( ?。?br />
A.t=0.01s時矩形金屬線框平面與磁感線平行 B.該交變電流的電動勢的有效值為22 V2C.該交變電流的電動勢的瞬時值表達(dá)式為e=22 cos100πtV2D.電動勢瞬時值為22V時,矩形金屬線框平面與中性面的夾角為45° 組卷:53引用:6難度:0.8 -
5.利用霍爾元件可以制作位移傳感器.如圖甲所示,將霍爾元件置于兩塊磁性強弱相同、同名磁極相對放置的磁體間隙中,以中間位置為坐標(biāo)原點建立如圖乙所示空間坐標(biāo)系,當(dāng)物體沿x軸方向移動時,霍爾元件將產(chǎn)生不同的霍爾電壓U,已知在小范圍內(nèi),磁感應(yīng)強度B的大小與x成正比,電流I沿+z方向且保持不變,下列說法正確的是( ?。?/h2>
A.電流I越小,霍爾電壓U越大 B.位移傳感器無法確定位移的方向 C.位移傳感器的刻度線是均勻的 D.當(dāng)霍爾元件處于x>0的位置時,上表面電勢高 組卷:179引用:4難度:0.6
三、計算題:本大題共4小題,共44分。解答應(yīng)寫出必要的文字說明、方程式和重要的演算步驟。
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16.如圖1所示,有兩條相距L=1m的平行光滑金屬軌道,軌道在PM、QN之間水平,其中PM左側(cè)軌道的傾斜角θ=30°,QN右側(cè)軌道為弧線,在軌道的上端接有阻值R=2Ω的定值電阻。PM、QN之間存在豎直向下的磁場(PM、QN邊界上無磁場),磁感應(yīng)強度的變化情況如圖2所示,PM、QN之間的距離d=2m。一質(zhì)量為m=1kg、導(dǎo)軌間有效阻值為R1=2Ω的導(dǎo)體棒a從t=0時刻無初速度釋放,初始位置與水平軌道間的高度差H=5m。導(dǎo)體棒b靜置于磁場左邊界的水平軌道PM處,該導(dǎo)體棒的質(zhì)量也為m=1kg,有效阻值R2=2Ω。導(dǎo)體棒a下滑后平滑進(jìn)入水平軌道(轉(zhuǎn)角處無機械能損失),并與導(dǎo)體棒b發(fā)生彈性碰撞。運動中兩導(dǎo)體棒始終與導(dǎo)軌垂直并接觸良好,不計導(dǎo)軌電阻。重力加速度g取10m/s2。求:
(1)在0~2s內(nèi),通過導(dǎo)體棒b的電荷量;
(2)導(dǎo)體棒b進(jìn)入磁場瞬間受到的安培力大??;
(3)導(dǎo)體棒b最終靜止的位置離PM的距離。組卷:62引用:3難度:0.6 -
17.如圖所示,在xOy豎直平面坐標(biāo)系中x軸上方有豎直向下的勻強電場,下方有垂直于xOy平面向里的勻強磁場,磁感應(yīng)強度大小為B.粒子源從S(-d,0)處在坐標(biāo)平面內(nèi)先后向磁場中與+x方向夾角為30°~150°范圍內(nèi)發(fā)射粒子,所有粒子第一次經(jīng)磁場偏轉(zhuǎn)后同時從O點進(jìn)入電場,此后粒子到達(dá)x軸時的位置均分布在S點的右側(cè)(包含S點)。已知粒子的質(zhì)量為m、電荷量為+q,不計粒子重力及粒子間相互作用。
(1)求從S發(fā)出的粒子的最小速度v;
(2)求電場強度的大小E0;
(3)若電場強度E為(2)中E0的4倍,最遲射出的粒子和速度最小的粒子經(jīng)過x軸上同一點,求該點的坐標(biāo)。組卷:384引用:2難度:0.1