2022-2023學(xué)年湖南省長(zhǎng)沙麓山國(guó)際實(shí)驗(yàn)學(xué)校高三（上）入學(xué)化學(xué)試卷
發(fā)布：2024/8/3 8:0:9
一、選擇題（本題包括10小題，每小題3分，共30分，每題只有一項(xiàng)符合題目要求）
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1．化學(xué)與生活緊密相關(guān)。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（ ）
組卷：22引用：3難度：0.8 -
2．不同的分類方法是為了從不同角度研究問(wèn)題的需要，下列關(guān)于化學(xué)分類法的應(yīng)用合理的是（ ?。?br />①硫酸、苛性鈉、純堿和生石灰分別屬于酸、堿、鹽和氧化物
②氯仿、硫酸鋇和苯酚分別屬于非電解質(zhì)、強(qiáng)電解質(zhì)和弱電解質(zhì)
③Na2O、Fe2O3、Al2O3屬于堿性氧化物
④根據(jù)分散系是否具有丁達(dá)爾效應(yīng)將分散系分為溶液、膠體和濁液
⑤根據(jù)反應(yīng)中是否有電子的轉(zhuǎn)移將化學(xué)反應(yīng)分為氧化還原反應(yīng)和非氧化還原反應(yīng)
⑥CO2、SO2、NO2都能與堿溶液發(fā)生反應(yīng)，因此它們都屬于酸性氧化物組卷：20引用：4難度：0.9 -
3．常溫下，下列各組離子在相應(yīng)的條件下可能大量共存的是（ ）
組卷：9引用：4難度：0.7 -
4．下列有關(guān)阿伏加德羅常數(shù)NA的敘述中不正確的是（ ?。?/h2>
組卷：27引用：2難度：0.7 -
5．下列關(guān)于2NO（g）+O2（g）?2NO2（g） ΔH=-114kJ?mol-1，說(shuō)法正確的是（ ）
組卷：1引用：1難度：0.7 -
6．常溫下濃度均為0.1mol?L-1的兩種溶液：①CH3COOH溶液②CH3COONa溶液，下列說(shuō)法不正確的是（ ?。?/h2>
組卷：149引用：7難度：0.7
三、非選擇題（本題包括4個(gè)小題，共54分）
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17．實(shí)驗(yàn)室以二氧化鈰（CeO2）廢渣為原料制備Cl-含量少的Ce2（CO3）3，其部分實(shí)驗(yàn)過(guò)程如圖：
（1）“酸浸”時(shí)CeO2與H2O2反應(yīng)生成Ce3+并放出O2，該反應(yīng)的離子方程式為。
（2）pH約為7的CeCl3溶液與NH4HCO3溶液反應(yīng)可生成Ce2（CO3）3沉淀，該沉淀中Cl-含量與加料方式有關(guān)。得到含Cl-量較少的Ce2（CO3）3的加料方式為（填序號(hào)）。
A．將NH4HCO3溶液滴加到CeCl3溶液中
B．將CeCl3溶液滴加到NH4HCO3溶液中
（3）通過(guò)中和、萃取、反萃取、沉淀等過(guò)程，可制備Cl-含量少的Ce2（CO3）3。已知Ce3+能被有機(jī)萃取劑（簡(jiǎn)稱HA）萃取，其萃取原理可表示為Ce3+（水層）+3HA（有機(jī)層）?Ce（A）3（有機(jī)層）+3H+（水層）。
①加氨水“中和”去除過(guò)量鹽酸，使溶液接近中性。去除過(guò)量鹽酸的目的是。
②反萃取的目的是將有機(jī)層Ce3+轉(zhuǎn)移到水層。使Ce3+盡可能多地發(fā)生上述轉(zhuǎn)移，應(yīng)選擇的實(shí)驗(yàn)條件或采取的實(shí)驗(yàn)操作有（填兩項(xiàng)）。
③與“反萃取”得到的水溶液比較，過(guò)濾Ce2（CO）3溶液的濾液中，物質(zhì)的量減小的離子有（填化學(xué)式）。組卷：15引用：2難度：0.7 -
18．以Cu2O、ZnO等半導(dǎo)體材料制作的傳感器和芯片具有能耗低、效率高的優(yōu)勢(shì)?；卮饐?wèn)題：
（1）基態(tài)O原子的電子排布式，其中未成對(duì)電子有個(gè)。
（2）酞菁的銅、鋅配合物在光電傳感器方面有著重要的應(yīng)用價(jià)值。酞菁分子結(jié)構(gòu)如圖1，分子中所有原子共平面，所有N原子的雜化軌道類型相同，均采取雜化。
鄰苯二甲酸酐（
）和鄰苯二甲酰亞胺（
）都是合成酞菁的原料，后者熔點(diǎn)高于前者，主要原因是 。
（3）金屬Zn能溶于氨水，生成以氨為配體，配位數(shù)為4的配離子。Zn與氨水反應(yīng)的離子方程式為。
（4）ZnO晶體中部分O原子被N原子替代后可以改善半導(dǎo)體的性能。Zn-N鍵中離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)小于Zn-O鍵，原因是。
（5）圖2為某ZnO晶胞示意圖，圖3是若干晶胞無(wú)限并置而成的底面O原子排列局部平面圖。abcd為所取晶胞的下底面，為銳角等于60°的菱形。以此為參考，用給出的字母表示出與所取晶胞相鄰的兩個(gè)晶胞的底面、。
組卷：16引用：3難度：0.5