2021-2022學(xué)年廣東省佛山市羅定邦中學(xué)高二（下）期中化學(xué)試卷

一、單項(xiàng)選擇題（每題2分）

• 1．下列化學(xué)用語中正確的是（　?。?/h2>

  A．甲基的電子式：	B．乙烯的結(jié)構(gòu)簡式CH2CH2
  C．聚丙烯的結(jié)構(gòu)簡式為：	D．丙烷分子的球棍模型：
  組卷：2引用：1難度：0.7

  解析

• 2．下列有機(jī)物的官能團(tuán)名稱和分類錯(cuò)誤的是（　　）

  A．CH3C≡CH，碳碳三鍵，炔烴

  B．，羥基，二元醇

  C．CH3CH2OOCH，酯基，酯類

  D．OHCCH2CH2CHO，醛基，二元醛
  組卷：32引用：1難度：0.7

  解析

• 3．下列化合物中，核磁共振氫譜只出現(xiàn)兩組峰且峰面積之比為3：1的是（　?。?/h2>

  A．

  B．

  C．

  D．
  組卷：176引用：25難度：0.7

  解析

• 4．根據(jù)有機(jī)化合物的命名原則，下列命名正確的是（　?。?/h2>

  A．CH2=CH（CH3）C=CH2     3-甲基-1，3-丁二烯

  B．2-甲基-1-丙醇

  C．CH3CH（C2H5）CH2CH2CH3     2-乙基戊烷

  D．  1，2，4-三甲苯
  組卷：19引用：2難度：0.6

  解析

• 5．某元素基態(tài)原子的價(jià)電子排布為3d⁷4s²，該元素在周期表中的位置是（　　）

  A．第三周期，第ⅡB族	B．第四周期，第ⅡB族
  C．第三周期，第ⅦA族	D．第四周期，第Ⅷ族
  組卷：6引用：2難度：0.7

  解析

• 6．下列各組物質(zhì)中，都是由極性鍵構(gòu)成的極性分子的是（　?。?/h2>

  A．CH4和CCl4

  B．H2S和HCl

  C．CO2和CS2

  D．NH3和CH4
  組卷：268引用：10難度：0.7

  解析

二、非選擇題（共56分）

• 19．實(shí)驗(yàn)室制備1，2-二溴乙烷的反應(yīng)原理如下：
  CH₃CH₂OH

  H

  2

  S

  O

  4

  （

  濃

  ）

  170

  ℃

  CH₂=CH₂+H₂O，CH₂=CH₂+Br₂→BrCH₂CH₂Br
  可能存在的主要副反應(yīng)有：乙醇在濃硫酸的存在下在140℃脫水生成乙醚．用少量溴和足量的乙醇制備1，2-二溴乙烷的裝置如圖所示，有關(guān)數(shù)據(jù)如表：
  

  	乙醇	1，2-二溴乙烷	乙醚
  狀態(tài)	無色液體	無色液體	無色液體
  密度/g?cm-3	0.79	2.2	0.71
  沸點(diǎn)/℃	78.5	132	34.6
  熔點(diǎn)/℃	-130	9	-116

  回答下列問題：
  （1）在此制備實(shí)驗(yàn)中，要盡可能迅速地把反應(yīng)溫度提高到170℃左右，其最主要目的是

   

  ；（填正確選項(xiàng)前的字母，下同）
  a.引發(fā)反應(yīng)  b.加快反應(yīng)速度 c.防止乙醇揮發(fā) d.減少副產(chǎn)物乙醚生成
  （2）在裝置C中應(yīng)加入

   

  ，其目的是吸收反應(yīng)中可能生成的酸性氣體；
  a.水  b.濃硫酸 c.氫氧化鈉溶液 d.飽和碳酸氫鈉溶液
  （3）判斷該制備反應(yīng)已經(jīng)結(jié)束的最簡單方法是

   

  ；
  （4）將1，2-二溴乙烷粗產(chǎn)品置于分液漏斗中加水，振蕩后靜置，產(chǎn)物應(yīng)在

   

  層（填“上”、“下”）；
  （5）若產(chǎn)物中有少量未反應(yīng)的Br₂，最好用

   

  洗滌除去；
  a.水 b.氫氧化鈉溶液 c.碘化鈉溶液 d.乙醇
  （6）若產(chǎn)物中有少量副產(chǎn)物乙醚，可用

   

  的方法除去；
  （7）反應(yīng)過程中應(yīng)用冷水冷卻裝置D，其主要目的是

   

  ；但又不能過度冷卻（如用冰水），其原因是

   

  ．
  組卷：22引用：3難度：0.5

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• 20．GaN是制造芯片的新型半導(dǎo)體材料。回答下列問題：
  （1）鎵為第四周期的元素，基態(tài)Ga原子的核外電子排布式為

   

  。
  （2）N、Si、P的電負(fù)性由強(qiáng)到弱順序?yàn)?

   

  （元素符號(hào)表示，下同）；C、N、O的第一電離能由大到小順序?yàn)?

   

  ；N₂O的空間構(gòu)型為

   

  。
  （3）芯片制造中用到光刻膠，可由不飽和物質(zhì)甲基丙烯酸甲酯（）、馬來酸酐（）等通過加聚反應(yīng)制得。甲基丙烯酸甲酯中碳原子的軌道雜化類型為

   

  ，馬來酸酐分子中，σ鍵和π鍵個(gè)數(shù)比為

   

  。
  （4）GaN、GaP、GaAs的結(jié)構(gòu)類似于金剛石，熔點(diǎn)如表所示：
  

  物質(zhì)	GaN	GaP	GaAs
  熔點(diǎn)/℃	1700	1480	1238

  請分析三者熔點(diǎn)變化的原因

   

  。
  （5）GaAs的晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲。將Mn摻雜到GaAs的晶體中得到稀磁性半導(dǎo)體材料（圖乙）。圖甲、圖乙晶體結(jié)構(gòu)不變。
  
  ①圖甲中，Ga原子的配位數(shù)為

   

  ，若GaAs晶體密度為ρ g?cm³，相對(duì)分子質(zhì)量為M，N_A表示阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值，則晶胞中距離最近的兩個(gè)Ga原子間距離為

   

  nm。
  ②圖乙中a、b的坐標(biāo)分別為（0，0，0）和（1，1，0），則c點(diǎn)Mn的原子坐標(biāo)為

   

  。摻雜Mn之后，晶體中Mn、Ga、As的原子個(gè)數(shù)比為

   

  。
  組卷：15引用：2難度：0.5

  解析