2023年天津市部分區(qū)高考物理一模試卷

一、單項(xiàng)選擇題（每小題5分，共25分。每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，只有一個(gè)選項(xiàng)是正確的）

• 1．宇宙射線進(jìn)入地球大氣層與大氣作用會(huì)產(chǎn)生中子，中子與大氣中的氮14會(huì)產(chǎn)生以下核反應(yīng)：

  14

  7

  N+

  1

  0

  n→

  14

  6

  C+

  1

  1

  H，產(chǎn)生的

  14

  6

  C能自發(fā)進(jìn)行β衰變，其半衰期為5730年，利用碳14的衰變規(guī)律可推斷古木的年代。下列說(shuō)法正確的是（　?。?/h2>

  A． 14 6 C發(fā)生β衰變的產(chǎn)物是 15 7 N

  B．β衰變輻射出的電子來(lái)自于原子核內(nèi)的中子轉(zhuǎn)化為質(zhì)子時(shí)產(chǎn)生的

  C．近年來(lái)由于地球的溫室效應(yīng)，引起 14 6 C的半衰期發(fā)生微小變化

  D．若測(cè)得一古木樣品的 14 6 C含量為活體植物的 1 8 ，則該古木距今約為11460年
  組卷：202引用：2難度：0.8

  解析

• 2．如圖所示，在火星與木星軌道之間有一小行星帶。假設(shè)該帶中的小行星只受到太陽(yáng)的引力，并繞太陽(yáng)做勻速圓周運(yùn)動(dòng)。下列說(shuō)法正確的是（　?。?/h2>

  A．太陽(yáng)對(duì)各小行星的引力相同

  B．各小行星繞太陽(yáng)運(yùn)動(dòng)的周期均小于一年

  C．小行星帶內(nèi)側(cè)小行星的向心加速度值大于外側(cè)小行星的向心加速度值

  D．小行星帶內(nèi)各小行星圓周運(yùn)動(dòng)的線速度值大于地球公轉(zhuǎn)的線速度值
  組卷：720引用：15難度：0.4

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• 3．一定質(zhì)量的理想氣體分別在T₁、T₂溫度下發(fā)生等溫變化，相應(yīng)的兩條等溫線如圖所示，T₂對(duì)應(yīng)的圖線上有A、B兩點(diǎn)，表示氣體的兩個(gè)狀態(tài)。則（　　）

  A．溫度為T(mén)1時(shí)氣體分子的平均動(dòng)能比T2時(shí)大

  B．從狀態(tài)A到狀態(tài)B的過(guò)程中，氣體內(nèi)能增加

  C．從狀態(tài)A到狀態(tài)B的過(guò)程中，氣體向外界放出熱量

  D．從狀態(tài)A到狀態(tài)B的過(guò)程中，氣體壓強(qiáng)減小
  組卷：289引用：1難度：0.7

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• 4．平時(shí)我們所處的地球表面，實(shí)際上存在場(chǎng)強(qiáng)大小為100V/m的電場(chǎng)，可將其視為勻強(qiáng)電場(chǎng)，在地面立一金屬桿后空間中的等勢(shì)面如圖所示?？臻g中存在a、b、c三點(diǎn)，其中a點(diǎn)是電勢(shì)為300V等勢(shì)面的最高點(diǎn)，b、c等高。則下列說(shuō)法正確的是（　?。?/h2>

  A．b、c兩點(diǎn)的電勢(shì)差Ubc=0

  B．a(chǎn)點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)大小等于100V/m

  C．a(chǎn)點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)方向沿豎直方向

  D．a(chǎn)點(diǎn)的電勢(shì)低于c點(diǎn)
  組卷：224引用：2難度：0.6

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二、非選擇題

• 11．如圖所示，在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中有一傾斜的平行金屬導(dǎo)軌，導(dǎo)軌間的距離為L(zhǎng)，長(zhǎng)為3d,導(dǎo)軌平面與水平面的夾角為θ，在導(dǎo)軌的中部刷有一段長(zhǎng)為d的薄絕緣涂層，勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，方向與導(dǎo)軌平面垂直。質(zhì)量為m的導(dǎo)體棒從導(dǎo)軌的頂端由靜止釋放，在滑上絕緣涂層后做勻速運(yùn)動(dòng)，滑到導(dǎo)軌底端之前再一次做勻速運(yùn)動(dòng)。導(dǎo)體棒始終與導(dǎo)軌垂直，且僅與涂層間有摩擦，接在兩導(dǎo)軌間的定值電阻和導(dǎo)體棒電阻均為R，導(dǎo)軌電阻不計(jì)，重力加速度為g,求：
  （1）導(dǎo)體棒與涂層間的動(dòng)摩擦因數(shù)μ；
  （2）導(dǎo)體棒滑到導(dǎo)軌底端之前勻速運(yùn)動(dòng)的速度大?。?br />（3）導(dǎo)體棒從導(dǎo)軌的頂端滑到導(dǎo)軌底端的整個(gè)過(guò)程中，定值電阻上產(chǎn)生的焦耳熱Q。
  組卷：305引用：1難度：0.3

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• 12．在芯片制造過(guò)程中，離子注入是其中一道重要的工序。如圖所示是離子注入工作原理示意圖，離子經(jīng)加速后沿水平方向進(jìn)入速度選擇器，然后通過(guò)磁分析器，選擇出特定比荷的離子，經(jīng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)后注入處在水平面內(nèi)的晶圓（硅片）。速度選擇器、磁分析器和偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中的勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B，方向均垂直于紙面向外；速度選擇器和偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中的勻強(qiáng)電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小均為E，方向分別為豎直向上和垂直于紙面向外。磁分析器截面是內(nèi)外半徑分別為R₁和R₂的四分之一圓環(huán)，其兩端中心位置M和N處各有一個(gè)小孔；偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中電場(chǎng)和磁場(chǎng)的分布區(qū)域是棱長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方體，其底面與晶圓所在水平面平行，間距也為L(zhǎng)。當(dāng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)不加電場(chǎng)及磁場(chǎng)時(shí)，離子恰好豎直注入到晶圓上的O點(diǎn)（即圖中坐標(biāo)原點(diǎn)，x軸垂直紙面向外）。整個(gè)系統(tǒng)置于真空中，不計(jì)離子重力及離子間的相互作用，打在晶圓上的離子，經(jīng)過(guò)電場(chǎng)和磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)的角度都很小。當(dāng)α很小時(shí)，有sinα≈tanα≈α，

  cosα

  ≈

  1

  -

  1

  2

  α

  2

  。求：
  （1）通過(guò)磁分析器選擇出來(lái)的離子的比荷；
  （2）偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)僅加電場(chǎng)時(shí)，離子在穿越偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中沿電場(chǎng)方向偏轉(zhuǎn)的距離；
  （3）偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)僅加磁場(chǎng)時(shí)，離子注入晶圓的位置坐標(biāo)（x,y）（用長(zhǎng)度R₁、R₂及L表示）。
  
  組卷：246引用：1難度：0.3

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