2013-2014學(xué)年吉林省吉林一中高一（上）過關(guān)檢測(cè)化學(xué)試卷（9）

一、單項(xiàng)選擇

• 1．下列敘述不正確的是（　?。?/h2>

  A．金剛砂的成分是Al2O3，可用作砂紙、砂輪的磨料

  B．水晶和瑪瑙的主要成分都是SiO2

  C．含硅的鋼具有良好的導(dǎo)磁性

  D．太陽(yáng)能電池可用硅材料制作，其應(yīng)用有利于環(huán)保、節(jié)能
  組卷：4引用：3難度：0.9

  解析

• 2．四氯化硅還原法是當(dāng)前制備較高純度硅的一種方法，有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式為：SiCl₄+2H₂

  高溫

  4HCl+Si下列說法不合理的是（　?。?/h2>

  A．反應(yīng)制得的硅可用于制造半導(dǎo)體材料

  B．增大壓強(qiáng)有利于加快上述反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)速率

  C．四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應(yīng)制得

  D．混入少量空氣對(duì)上述反應(yīng)無影響
  組卷：15引用：4難度：0.7

  解析

• 3．高溫下，將SiO₂加入下列物質(zhì)的熔融體中，此時(shí)發(fā)生反應(yīng)能放出氣體的是（　?。?/h2>

  A．CaO

  B．Al2O3

  C．NaOH

  D．Na2CO3
  組卷：16引用：1難度：0.9

  解析

• 4．制造太陽(yáng)能電池需要高純度的硅．工業(yè)上由粗硅制高純度硅可通過以下反應(yīng)實(shí)現(xiàn)：
  ①Si+3HCl

  300

  ℃

  SiHCl₃+H₂
  ②SiHCl₃+H₂

  950

  ℃

  Si+3HCl
  下列有關(guān)敘述錯(cuò)誤的是（　　）

  A．2個(gè)反應(yīng)都是氧化還原反應(yīng)

  B．2個(gè)反應(yīng)都是置換反應(yīng)

  C．反應(yīng)①中Si是還原劑

  D．上述2個(gè)反應(yīng)互為可逆反應(yīng)
  組卷：18引用：1難度：0.7

  解析

• 5．下列試劑可用帶磨口玻璃塞的玻璃試劑瓶保存的是（　?。?/h2>

  A．氫氟酸	B．硫酸
  C．碳酸鈉溶液（具有堿性）	D．氫氧化鈉溶液
  組卷：26引用：5難度：0.9

  解析

五、填空實(shí)驗(yàn)題

• 16．已知高溫下能發(fā)生如下反應(yīng)SiO₂+2C

  高溫

  Si+2CO↑，Si+C

  高溫

  SiC，現(xiàn)有石英砂和碳粉的混合物1mol,在高溫電爐中隔絕空氣充分反應(yīng)完全后，冷卻得到殘留固體．若石英砂與混合物的物質(zhì)的量之比為x（0＜x＜1），試討論x的取值范圍，殘留固體的成分和物質(zhì)的量，并將結(jié)果填入下表：
  

  編號(hào)	①	②	③	④	⑤
  x值	x= 1 3
  殘留固體及 物質(zhì)的量	Si    1 3 mol
  組卷：15引用：1難度：0.1

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• 17．請(qǐng)回答下列問題：
  （1）制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅．三氯甲硅烷（SiHCl₃）還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過程示意圖如下：
  
  ①寫出由純SiHCl₃制備高純硅的化學(xué)方程式：

   

  ．
  ②整個(gè)制備過程必須嚴(yán)格控制無水無氧．SiHCl₃遇水劇烈反應(yīng)生成H₂SiO₃、HCl和另一種物質(zhì)，配平后的化學(xué)反應(yīng)方程式為

   

  ；H₂還原SiHCl₃過程中若混入O₂，可能引起的后果是

   

  ．
  （2）下列有關(guān)硅材料的說法正確的是

   

   （填字母）．
  A．碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水泥
  B．氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高，可用于制作高溫陶瓷和軸承
  C．高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料--光導(dǎo)纖維
  D．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的，其熔點(diǎn)很高
  E．鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
  （3）硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃．取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入稀硝酸，振蕩．寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋

   

  ．
  組卷：31引用：3難度：0.3

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